[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。

一般地，薄膜晶体管经常使用铜或者铝等作为源极电极或漏极电极的制作材料。然而，铜或铝等材料容易在使用过程中扩散或发生电子迁移。当铜或铝等金属原子扩散至沟道层时，将会对薄膜晶体管的工作性能造成影响，严重时甚至会造成薄膜晶体管短路。因此，上述的薄膜晶体管可靠性较差。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层，活性层包括沟道层，源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。

在本发明提供的薄膜晶体管中，由于源极电极或漏极电极与沟道层之间具有第一蚀刻阻挡层及第二蚀刻阻挡层，该第一蚀刻阻挡层及第二蚀刻阻挡层可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移以致对沟道层的导电性能造成影响，从而提高了薄膜晶体管的可靠性。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

图2是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。

主要元件符号说明

薄膜晶体管100、200基板110栅极120栅绝缘层130沟道层140源极141漏极142源极电极150漏极电极160本体部151、161第一延伸部152、162第二延伸部153、163第一蚀刻阻挡层170第二蚀刻阻挡层180凹槽181第一区域182第二区域183第一透明导电层191第二透明导电层192第一开孔210第二开孔220