[其他]屏蔽件和处理套件

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本实用新型的实施例大致涉及半导体处理腔室的处理套件以及具有套件的半导体处理腔室。更明确地，本实用新型的实施例涉及用于物理气相沉积腔室且包括盖环、屏蔽件与绝缘件的处理套件。 

物理气相沉积(PVD)或溅射是电子组件制造最常用处理之一。PVD是执行于真空腔室中的等离子体处理，其中负偏压靶材是暴露于具有相当重原子(例如，氩(Ar))的惰性气体或包含上述惰性气体的气体混合物的等离子体。惰性气体的离子对靶材的轰击造成靶材材料的原子射出。射出的原子在衬底上累积成沉积的薄膜，衬底置放于设置于腔室中的衬底支撑基座上。 

处理套件可设置于腔室中以助于相对于衬底在腔室中的期望区域内界定处理区域。处理套件通常包括盖环、沉积环与接地屏蔽件。将等离子体与射出原子局限于处理区域有助于维持腔室中的其它部件不受沉积材料影响，并因为较高百分比的射出原子沉积于衬底上而促进更有效地利用靶材材料。 

虽然传统环与屏蔽件设计具有稳定的处理历史，但临界尺寸的降低造成越来越注意腔室中的污染源。随着衬底支撑基座在传送与处理位置之间升起与下降，环与屏蔽件周期性地接触彼此，这种传统设计是微粒污染的可能来源。 

再者，控制腔室中的气体分配的能力对沉积膜的质量与一致性两者造成影响。盖环通常相对于基座置中而造成在盖环与屏蔽件之间产生非均匀间隔，这造成非均匀的气体分配。再者，盖环通常不允许靶材与衬底间的距离的变化。又于先前设计中，衬底表面位于盖环顶部或接近盖环顶部， 这造成反应物种集中于衬底边缘附近。 

因此，本领域中需要改良的处理套件。 

因此，本领域中需要改良的处理套件。 

本实用新型的实施例一般地提供用于物理气相沉积(PVD)腔室的处理套件以及具有插入式处理套件的PVD腔室。一个实施例中，处理套件包括插入式接地屏蔽件、盖环与绝缘环。 

一个实施例中，提供物理气相沉积腔室的屏蔽件。屏蔽件包括圆柱形外带、圆柱形内带、将内带与外带耦接以形成单件式单一构件的基部平板、以及多个耦接至圆柱形内带的球体。球体向圆柱形内带的内部径向延伸。 

优选地，屏蔽件还包括多个圆柱形支架，每个支架中插入有球体当中的相应一者，圆柱形支架设置于圆柱形内带中形成的孔洞中。孔洞围绕圆柱形内带均匀地分隔开。 

另一个实施例中，提供围绕溅射靶材面对衬底处理腔室中的衬底支撑件的溅射表面的屏蔽件。屏蔽件包括：圆柱形外带，其具有尺寸经设计以围绕溅射靶材的溅射表面的第一直径，圆柱形外带具有尺寸经设计以围绕溅射表面的顶部端以及尺寸经设计以围绕衬底支撑件的底部端；倾斜梯部，其具有大于第一直径的第二直径，倾斜梯部从圆柱形外带的顶部端径向向外延伸；安装凸缘，其从倾斜梯部径向向外延伸；基部平板，其从圆柱形带的底部端径向向内延伸；及圆柱形内带，其耦接于基部平板，且圆柱形内带的尺寸经设计以围绕衬底支撑件的周边边缘，其中圆柱形内带具有多个孔洞，多个孔洞中的每一者用以容纳置中机构，以均匀地围绕屏蔽件的直径维持屏蔽件与盖环之间的受控制的间隙。 

优选地，用以相对盖环置中屏蔽件的置中机构包括球体，其提供与盖环的点接触。多个孔洞围绕屏蔽件的直径均匀地分隔开。圆柱形外带、倾斜梯部、安装凸缘、基部平板与圆柱形内带构成单一铝结构。圆柱形内带的高度小于圆柱形外带的高度。圆柱形内带具有小于第一直径的第三直径。安装凸缘具有阶梯部。屏蔽件包括设置于屏蔽件的表面上的双线铝弧 喷涂层。双线铝弧喷涂层包括约600至约2300微英寸的表面粗糙度。屏蔽件的暴露表面经喷珠处理以具有175±75微英寸的表面粗糙度。