[其他]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201190000066.0 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN202651118U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，所述半导体衬底和半导体鳍片之间包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面；
所述半导体衬底为{112}Si衬底。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述半导体鳍片的侧壁与硅的{111}晶面之间的夹角小于5度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述半导体鳍片由Si、Ge、GaAs、InP、GaN和SiC之一构成。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述刻蚀停止层由高掺杂的P型半导体或SiGe组成。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于：
所述P型半导体中的掺杂剂为B、Al、Ga、In、Tl之一。
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于：
所述刻蚀停止层为掺杂浓度高于5×1019/cm3的P型半导体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，其特征在于：
所述半导体鳍片为一个或多个。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，其特征在于：
所述半导体鳍片中的沟道方向为<110>方向。
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