[其他]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，该半导体结构包括衬底（100）、栅极堆叠、第一层间介质层（115）、源/漏区（101），其中： 

所述源/漏区（101）嵌于所述衬底（100）中，所述栅极堆叠形成在所述衬底（100）之上，所述第一层间介质层（115）覆盖所述源/漏区（101）， 

其特征在于， 

所述栅极堆叠依次包括：与衬底（100）接触的栅极介质层（111）、金属栅极（112）和CMP停止层（113）。 

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述CMP停止层（113）的硬度系数大于多晶硅的硬度系数。 

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属栅极（112）与所述CMP停止层（113）的厚度之和为20nm。 

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属栅极（112）的厚度为5nm，所述CMP停止层（113）的厚度为15nm。 

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述CMP停止层（113）的材料包括镍、钛、铬、铂、TiN中的一种。 

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述半导体结构还包括接触塞（121）。