[发明专利]具有非分立的源极区和漏极区的纳米线结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多条垂直堆叠的纳米线，所述多条垂直堆叠的纳米线布置在衬底上方，所述纳米线中的每条纳米线包括布置在所述纳米线中的分立的沟道区；

栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体包围所述多条垂直堆叠的纳米线；

一对非分立的源极区和漏极区，所述一对非分立的源极区和漏极区分别布置在所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区的两侧上并与所述多条垂直堆叠的纳米线中的所述分立的沟道区相邻，其中，所述一对非分立的源极区和漏极区是包括与所述分立的沟道区相同的第一半导体材料和不同的第二半导体材料的一对半导体区，所述非分立的源极区和漏极区中的每个区均具有最上表面和一对侧壁表面，其中在所述一对非分立的源极区和漏极区中通过激光退火引入了增加的应变，并且所述一对非分立的源极区和漏极区被配置为具有“之”字型非分立源极和漏极界面；以及一对接触部，所述一对接触部中的每个接触部布置在所述一对非分立的源极区和漏极区中的对应的一个的所述最上表面和所述一对侧壁表面上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一对接触部分别完全包围相应的所述非分立的源极区和漏极区。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一对接触部分别仅部分地包围相应的所述非分立的源极区和漏极区。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料和第二半导体材料融合，所述半导体区还包括掺杂剂物质。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅锗，所述第二半导体材料是硅，且所述掺杂剂物质是P型掺杂剂物质。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一半导体材料是硅，所述第二半导体材料是硅锗，且所述掺杂剂物质是N型掺杂剂物质。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，从与所述分立的沟道区的长度正交的横截面视角看，所述一对非分立的源极区和漏极区中的每一个在形状上是近似矩形的。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述一对非分立的源极区和漏极区是包括与所述分立的沟道区相同的第一半导体材料和至少部分地包围所述第一半导体材料的有刻面的第二半导体材料的一对半导体区。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

布置在所述栅极电极叠置体与所述一对非分立的源极区和漏极区之间的一对间隔物。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述多条垂直堆叠的纳米线的在所述间隔物中的一个或两个下方的部分是非分立的。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极电极叠置体包括金属栅极和高K栅极电介质，且所述纳米线中的每条纳米线包含硅、锗或它们的组合。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非分立的源极区和漏极区的所述一对侧壁表面具有所述第一半导体材料和所述第二半导体材料两者的暴露部分，并且其中，相应的接触部与所述第一半导体材料和所述第二半导体材料两者的所述暴露部分接触。