[发明专利]具有选择性表面固定化部位的纳米间隙换能器

权利要求书

1.一种设备，包括

衬底，其具有表面，以及

被布置在衬底表面上的换能器，其中，所述换能器包括：

第一电极和第二电极，其中，第一和第二电极均被耦合到导电线，通过所述导电线能够独立地向第一和第二电极施加电压，并独立地从第一和第二电极中的每一个测量电流，并且其中，第一电极具有面且第二电极具有面，并且第一电极的面与第二电极的面分离小于500nm的距离，

腔，其能够包含在第一电极的面与第二电极的面之间的流体，

通过第二电极的出入孔，其能够允许流体进入和离开所述腔,

被布置在第二电极上的优选地可功能化电介质材料的层，其中，优选地可功能化电介质层具有在所述出入孔内的曝露表面，以及

电介质材料的层，其被布置在优选地可功能化电介质材料的层上，是非优选地可功能化的。

2.如权利要求1所述的设备，其中，第一电极的面与第二电极的面分离介于在10和200nm之间的距离。

3.如权利要求1所述的设备，其中，优选地可功能化电介质层的曝露表面包括表面附着的硅烷或含硫分子。

4.如权利要求1所述的设备，其中，第一或第二电极由导电金刚石构成。

5.如权利要求1所述的设备，其中，第一和第二电极两者都由导电金刚石构成。

6.如权利要求1所述的设备，其中，第一电极由纳米晶体导电金刚石构成。

7.如权利要求1所述的设备，其中，第一和第二电极由从由导电金刚石、金和铂组成的组中选择的材料构成。

8.如权利要求1所述的设备，其中，所述衬底是集成电路芯片且第一电极和第二电极通过所述导电线被独立地电耦合到所述集成电路芯片内的电子装置。

9.一种设备，包括，

衬底，其具有表面，以及

被布置在衬底表面上的换能器，其中，所述换能器包括：

第一电极和第二电极，其中，第一和第二电极均被耦合到导电线，通过所述导电线能够独立地向第一和第二电极施加电压，并独立地从第一和第二电极中的每一个测量电流，并且其中，第一电极具有面且第二电极具有面，并且第一电极的面与第二电极的面分离小于500nm的距离，

腔，其能够包含在第一电极的面与第二电极的面之间的流体，

通过第二电极的出入孔，其能够允许流体进入和离开所述腔，以及

被布置在第一电极的面的区上的优选地可功能化电介质区，其中，优选地可功能化电介质区包括曝露表面。

10.如权利要求9所述的设备，第一电极的面与第二电极的面分离介于在10和200nm之间的距离。

11.如权利要求9所述的设备，其中，优选地可功能化电介质区具有40nm²至500,000nm²的曝露表面区域。

12.如权利要求9所述的设备，其中，优选地可功能化电介质区的曝露表面包括表面附着的硅烷或含硫分子。

13.如权利要求9所述的设备，其中，第一或第二电极由导电金刚石构成。

14.如权利要求9所述的设备，其中，第一电极由纳米晶体导电金刚石构成。

15.如权利要求9所述的设备，其中，第一和第二电极两者都由导电金刚石构成。

16.如权利要求9所述的设备，其中，第一和第二电极由从由导电金刚石、金和铂组成的组中选择的材料构成。