[发明专利]封装上受控的管芯上焊料集成及其装配方法有效

专利信息
申请号: 201180074841.1 申请日: 2011-11-14
公开(公告)号: CN103946965B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: W.H.特;S.钟 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 装上 受控 管芯 焊料 集成 及其 装配 方法
【权利要求书】:

1.一种使管芯背侧凸起的工艺,包括:

在管芯背侧膜DBF中开凹槽以显露管芯中的硅通孔TSV接触,所述管芯包括有源表面和背侧表面;

用接触所述TSV接触的传导材料填充所述凹槽;以及

在所述DBF的层次形成到所述传导材料的加焊,

其中所述DBF具有第一厚度,所述工艺还包括:

去除所述DBF;以及

进行底部填充材料的底部填充以接触所述传导材料和所述加焊的至少之一。

2.如权利要求1所述的工艺,其中开所述凹槽包括激光钻孔到所述DBF中以显露所述TSV接触。

3.如权利要求1所述的工艺,其中开所述凹槽包括使用光敏DBF,还包括:

将创建所述TSV接触上方的开口的所述DBF上面的掩模图案化;

通过所述掩模显露所述DBF以弱化所述TSV上方的所述DBF;以及

冲洗所述TSV以开所述凹槽。

4.如权利要求1所述的工艺,还包括:

将创建所述TSV接触上方的开口的所述DBF上面的硬掩模图案化;以及

干蚀刻所述DBF以开所述凹槽。

5.如权利要求1所述的工艺,其中所述管芯是第一管芯,所述工艺还包括将后续管芯耦合到在加焊的所述第一管芯以形成由所述TSV接触、所述传导材料、所述加焊、耦合到所述后续管芯的电凸起及耦合到所述电凸起的后续管芯键合焊盘组成的电耦合。

6.如权利要求1所述的工艺,还包括在无芯无凸起内建层(BBUL-C)衬底中嵌入所述管芯,其中所述背侧表面被显露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C衬底。

7.如权利要求1所述的工艺,还包括:

在无芯无凸起内建层(BBUL-C)衬底中嵌入所述管芯,其中所述背侧表面被显露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C衬底以实现嵌入式管芯;;以及

耦合后续管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯。

8.如权利要求1所述的工艺,还包括:

在无芯无凸起内建层(BBUL-C)衬底中嵌入所述管芯,其中所述背侧表面被显露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C衬底以实现嵌入式管芯;

耦合后续管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯;以及

通过毛细底部填充(CUF)作用在所述后续管芯与所述嵌入式管芯之间底部填充材料。

9.如权利要求1所述的工艺,还包括:

在无芯无凸起内建层(BBUL-C)衬底中嵌入所述管芯,其中所述背侧表面被显露并且所述有源表面耦合到所述BBUL-C衬底以实现嵌入式管芯;

耦合后续管芯到在所述加焊的所述嵌入式管芯;以及

通过环氧助焊剂作用在所述后续管芯与所述嵌入式管芯之间底部填充材料。

10.如权利要求1所述的工艺,其中所述管芯是第一管芯,并且所述工艺还包括:

通过将后续管芯安放在所述DBF上来耦合所述后续管芯到所述第一管芯,使得所述第一厚度在所述第一管芯与所述后续管芯之间创建选择的偏移。

11.如权利要求1所述的工艺,其中所述管芯是第一管芯,并且所述工艺还包括:

通过将后续管芯安放在所述DBF上来耦合所述后续管芯到所述第一管芯,使得所述第一厚度在所述第一管芯与所述后续管芯之间创建选择的偏移;以及

通过毛细底部填充(CUF)作用在所述后续管芯与所述第一管芯之间底部填充材料。

12.如权利要求1所述的工艺,其中所述管芯是第一管芯,并且所述工艺还包括:

通过将后续管芯安放在所述DBF上来耦合所述后续管芯到所述第一管芯,使得所述第一厚度在所述第一管芯与所述后续管芯之间形成选择的偏移;以及

通过环氧助焊剂作用在所述后续管芯与所述第一管芯之间底部填充材料。

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