[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区，其中，

二极管区具备：

第一导电型的阳极层，其露出于半导体基板的表面；

第二导电型的二极管漂移层，其被形成于阳极层的背面侧；

第二导电型的阴极层，其被形成于二极管漂移层的背面侧，

绝缘栅双极性晶体管区具备：

第二导电型的发射层，其露出于半导体基板的表面；

第一导电型的绝缘栅双极性晶体管体层，其被形成于发射层的背面侧；

第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管体层的背面侧；

第一导电型的集电层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移层的背面侧；

绝缘栅双极性晶体管栅电极，其隔着绝缘膜而与将发射层和绝缘栅双极性晶体管漂移层分离的范围内的绝缘栅双极性晶体管体层对置，

阴极层的第二导电型的杂质浓度分布成至少具有两个以上的峰值的曲线状，

在阴极层的任意深度，第二导电型的杂质浓度均高于第一导电型的杂质浓度。

2.一种半导体装置，其在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区，其中，

二极管区具备：

第一导电型的阳极层，其露出于半导体基板的表面；

第二导电型的二极管漂移层，其被形成于阳极层的背面侧；

第二导电型的阴极层，其被形成于二极管漂移层的背面侧，

绝缘栅双极性晶体管区具备：

第二导电型的发射层，其露出于半导体基板的表面；

第一导电型的绝缘栅双极性晶体管体层，其被形成于发射层的背面侧；

第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管体层的背面侧；

第一导电型的集电层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移层的背面侧；

绝缘栅双极性晶体管栅电极，其隔着绝缘膜而与将发射层和绝缘栅双极性晶体管漂移层分离的范围内的绝缘栅双极性晶体管体层对置，

集电层的第一导电型的杂质浓度分布成至少具有两个以上的峰值的曲线状，

在集电层的任意深度，第一导电型的杂质浓度均高于第二导电型的杂质浓度。

3.一种半导体装置，其在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区，其中，

二极管区具备：

第一导电型的阳极层，其露出于半导体基板的表面；

第二导电型的二极管漂移层，其被形成于阳极层的背面侧；

第二导电型的阴极层，其被形成于二极管漂移层的背面侧，

绝缘栅双极性晶体管区具备：

第二导电型的发射层，其露出于半导体基板的表面；

第一导电型的绝缘栅双极性晶体管体层，其被形成于发射层的背面侧；

第二导电型的绝缘栅双极性晶体管漂移层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管体层的背面侧；

第一导电型的集电层，其被形成于绝缘栅双极性晶体管漂移层的背面侧；

绝缘栅双极性晶体管栅电极，其隔着绝缘膜而与将发射层和绝缘栅双极性晶体管漂移层分离的范围内的绝缘栅双极性晶体管体层对置，

阴极层的第一导电型的杂质浓度从半导体基板的背面至第一深度以固定的浓度分布，

阴极层的第二导电型的杂质浓度从半导体基板的背面至第二深度以固定的浓度分布，

第二深度深于第一深度，

在阴极层的任意深度，第二导电型的杂质浓度均高于第一导电型的杂质浓度。