[发明专利]蚀刻停止层和电容器

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

衬底，其具有设置在衬底表面上的至少一个介电层，

所述介电层，其具有第一介电蚀刻停止层和设置在所述第一介电蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，其中所述第二蚀刻停止层的密度大于所述第一蚀刻停止层的密度，且大于3g/cm³，

阱，其穿过所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层并在所述至少一个介电层中形成，其中所述阱包括侧壁和底部，且第一导电材料层设置在所述阱的所述侧壁和所述底部上，绝缘层设置在所述第一导电材料层上，并且第二导电材料层设置在所述第一导电材料层上。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层的密度在4到10g/cm³的范围内。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一导电材料层相对于所述阱的所述侧壁凹进。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述衬底包括至少两个介电层，所述介电层由蚀刻停止层分隔，且所述第二介电层包括与所述第一导电材料层电接触的填充金属的沟槽或过孔。

5.如权利要求4所述的设备，其中所述填充金属的沟槽或过孔与晶体管结构电接触。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述第一介电蚀刻停止层由介电材料组成，所述介电材料由至少95％的硅、碳、氮、氧、或其组合组成。

7.如权利要求1所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层由过渡金属氧化物组成。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层由选自于由ZnO、HfO₂、Al₂O₃和TiO_x所构成的组中的材料组成。

9.一种半导体设备，包括：

衬底，其具有在衬底表面上的至少一个介电层，

所述介电层，其具有第一介电蚀刻停止层和设置在所述第一介电蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，其中所述第二蚀刻停止层由高k材料组成，以及

阱，其穿过所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层并在所述至少一个介电层中形成，其中所述阱包括侧壁和底部，且第一导电材料层设置在所述阱的所述侧壁和所述底部上，绝缘层设置在所述第一导电材料层上，并且第二导电材料层设置在所述第一导电材料层上。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述第一导电材料层相对于所述阱的所述侧壁凹进。

11.如权利要求9所述的设备，其中所述衬底包括至少两个介电层，所述介电层由蚀刻停止层分隔，且所述第二介电层包括与所述第一导电材料层电接触的填充金属的沟槽或过孔。

12.如权利要求11所述的设备，其中所述填充金属的沟槽或过孔与晶体管结构电接触。

13.如权利要求9所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层的厚度在2和8nm之间。

14.如权利要求9所述的设备，其中所述第一介电蚀刻停止层由介电材料组成，所述介电材料由至少95％的硅、碳、氮、氧、或其组合组成。

15.如权利要求9所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层由过渡金属氧化物组成。

16.如权利要求9所述的设备，其中所述第二蚀刻停止层由选自于由ZnO、HfO₂、Al₂O₃和TiO_x所构成的组中的材料组成。

17.一种计算设备，包括：

母板；

通信芯片，其安装在所述母板上；以及

处理器，其安装在所述母板上，所述处理器包括：

衬底，其具有设置在衬底表面上的至少一个介电层，

所述介电层，其具有第一介电蚀刻停止层和设置在所述第一介电蚀刻停止层上的第二蚀刻停止层，其中所述第二蚀刻停止层的密度大于所述第一蚀刻停止层的密度，且大于3g/cm³，

阱，其穿过所述第一蚀刻停止层和所述第二蚀刻停止层并在所述至少一个介电层中形成，其中所述阱包括侧壁和底部，且第一导电材料层设置在所述阱的所述侧壁和所述底部上，绝缘层设置在所述第一导电材料层上，并且第二导电材料层设置在所述第一导电材料层上。