[发明专利]非平面晶体管的源极/漏极触点

说明书

背景技术

本描述的实施例通常涉及微电子设备制造领域，且更具体地涉及在非平面晶体管内的源极/漏极触点的制造。

附图说明

本公开的主题在说明书的结论部分中被特别指出和明确地主张。根据结合附图所做出的以下描述和所附权利要求，本公开的前述和其它特征将变得更充分明显。应理解，附图仅示出根据本公开的几个实施例，且因此不应被考虑为其范围的限制。将通过附图的使用以附加的特性和细节来描述本公开，以便可更容易确定本公开的优点，其中：

图1是根据本描述的实施例的非平面晶体管的透视图。

图2示出在微电子衬底中或上形成的非平面晶体管的侧截面视图。

图3示出根据本描述的实施例沉积在图2的非平面晶体管鳍片之上的牺牲材料的侧截面视图。

图4示出根据本描述的实施例在所沉积的牺牲材料中形成的沟槽以暴露出图3的非平面晶体管鳍片的一部分的侧截面视图。

图5示出根据本描述的实施例形成在图4的沟槽中的牺牲栅极的侧截面视图。

图6示出根据本描述的实施例在图5的牺牲材料的移除之后的牺牲栅极的侧截面视图。

图7示出根据本描述的实施例的沉积在图6的牺牲栅极和微电子衬底之上的共形介电层的侧截面视图。

图8示出根据本描述的实施例的由图7的共形介电层形成的栅极隔板的侧截面视图。

图9示出根据本描述的实施例的在图8的栅极隔板的任一侧上形成在非平面晶体管鳍片中的源极区和漏极区的侧截面视图。

图10示出根据本描述的实施例的沉积在图9的栅极隔板、牺牲栅极、非平面晶体管鳍片和微电子衬底之上的第一介电材料的侧截面视图。

图11示出根据本描述的实施例的图10在平面化第一介电材料以暴露出牺牲栅极的顶表面之后的结构的侧截面视图。

图12示出根据本描述的实施例的图11在移除牺牲栅极以形成栅极沟槽之后的结构的侧截面视图。

图13示出根据本描述的实施例的图12在形成相邻于栅极隔板之间的非平面晶体管鳍片的栅极电介质之后的结构的侧截面视图。

图14示出根据本描述的实施例的沉积在图13的栅极沟槽中的导电栅极材料的侧截面视图。

图15示出根据本描述的实施例的图14在移除多余的导电栅极材料以形成非平面晶体管栅极之后的结构的侧截面视图。

图16示出根据本描述的实施例的图15在蚀刻掉非平面晶体管栅极的一部分以形成凹进的非平面晶体管栅极之后的结构的侧截面视图。

图17示出根据本描述的实施例的在将覆盖(capping)介电材料沉积在源自凹进的非平面晶体管栅极而形成的凹槽中之后的图16的结构的侧截面视图。

图18示出根据本描述的实施例的在移除多余的覆盖介电材料以在非平面晶体管栅极上形成覆盖结构之后的图17的结构的侧截面视图。

图19示出根据本描述的实施例的沉积在图18的第一介电材料层、栅极隔板和牺牲栅极顶表面之上的第二介电材料的侧截面视图。

图20示出根据本描述的实施例的在图19的第二介电材料上图案化的蚀刻掩模的侧截面视图。

图21示出根据本描述的实施例的通过图20的第一和第二介电材料形成的接触开口的侧截面视图。

图22示出根据本描述的实施例的图21在移除蚀刻掩模之后的结构的侧截面视图。

图23示出根据本描述的实施例的在图22的接触开口中形成的含钛接触界面层的侧截面视图。

图24示出根据本描述的实施例的在含钛接触界面层与在非平面晶体管鳍片中形成的源极/漏极区之间分立地形成的硅化钛界面的侧截面视图。

图25示出根据本描述的实施例的沉积在图24的接触开口中的导电接触材料的侧截面视图。

图26示出根据本描述的实施例的图25在移除多余的导电接触材料以形成源极/漏极触点之后的结构的侧截面视图。

具体实施方式