[发明专利]等离子体处理设备

权利要求书

1.一种用于对物品进行等离子体处理的设备，该设备包括：

室，其用于接收要处理的物品；

电极装置，其用于在所述室中生成电场以便在所述室中建立等离子体，使得能够处理所述物品；

生成装置，其用于生成用于传输到所述电极装置的交变电能；

连接装置，其用于将所述生成装置连接到所述电极装置；以及

控制装置，其用于在处理期间改变在所述室中生成的驻波的波节和波腹的位置，使得随着时间而生成相互不一致的多个驻波。

2.如权利要求1中所述的设备，其中，所述控制装置控制连接装置，使得在物品的处理期间一个区域接一个区域按次序地向电极装置的多于一个区域传输交变电能。

3.如权利要求1或2中所述的设备，其中，所述控制装置改变在物品的处理期间被传输到电极装置的交变电能的相位。

4.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述电极装置包括至少一个电极，该电极由其形状能够响应于由所述控制装置的控制而适应的材料制成。

5.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述电极装置和所述连接装置能够将所述生成装置连接到至少一个电极的多个区域中的任何一个。

6.如权利要求5中所述的设备，其中，所示控制装置控制连接装置以在处理期间改变被传输到至少一个电极的所述区域中的每一个的电功率。

7.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述电极装置包括被布置成施加相互不同的电场的多个电极，并且其中，所述连接装置能够将所述生成装置连接到所述电极中的任何一个。

8.如权利要求7中所述的设备，其中，所述控制装置控制连接装置以在处理期间改变传输到所述电极中的每一个的电功率。

9.如权利要求7中所述的设备，其中，所述连接装置能够将所述生成装置连接到所述电极中的任何一个的至少一个电极的多个区域中的任何一个。

10.如权利要求9中所述的设备，其中，所述控制装置控制连接装置以在处理期间改变被传输到至少一个电极的所述区域中的每一个的电功率。

11.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述控制装置控制所述生成装置和所述连接装置，使得所述交变电能的相对RF相位在电极装置的电极之间移动。

12.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述控制装置控制所述连接装置，使得交变电能在电极上的注入点之间或在电极装置的电极之间切换。

13.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述连接装置包括用于使所述电极装置的阻抗与所述生成装置的阻抗匹配的匹配装置。

14.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述生成装置用于生成RF电能。

15.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述生成装置生成在从13 MHz至0.9 GHz范围中的电能。

16.如任何前述权利要求中所述的设备，其中，所述生成装置用于传输脉冲电能。

17.一种用于使用根据前述权利要求中的任一项所述的设备对物品进行等离子体处理的方法，其包括在处理期间改变在等离子体处理室中生成的驻波的波节和波腹的位置，使得随着时间而生成相互不一致的多个驻波。