[发明专利]成像设备,成像系统,和控制成像设备的方法有效

专利信息
申请号: 201180073715.4 申请日: 2011-09-29
公开(公告)号: CN103828342A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 菅原惠梨子;龟岛登志男;八木朋之;竹中克郎;佐藤翔;岩下贵司;冈田英之 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H04N5/32 分类号: H04N5/32;A61B6/00;G01T1/24;H04N5/359;H04N5/374
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李颖
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成像 设备 系统 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种成像设备,包括:

检测器,所述检测器包括多个转换元件,每个转换元件具有第一电极、第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的半导体层,并把放射线或光转换成电荷,所述检测器进行输出基于所述电荷的电信号的成像操作;

电源单元,所述电源单元向转换元件提供第一电压,用于在成像操作中允许转换元件把放射线或光转换成电荷;和

控制检测器和电源单元的控制单元,

其中控制单元控制检测器和电源单元在多次进行的成像操作中的第一成像操作和在第一成像操作之后的第二成像操作之间的时段内,进行第一成像间操作,和在所述时段内在第一成像间操作之后,进行第二成像间操作,在所述第一成像间操作中,向转换元件供给与第一电压不同的第二电压,在所述第二成像间操作中,供给与第一电压和第二电压不同的第三电压,和

其中第三电压和第一电压之差的绝对值小于第二电压和第一电压之差的绝对值。

2.按照权利要求1所述的成像设备,其中每个转换元件包括光电二极管,和

其中第一电压是反向电压。

3.按照权利要求2所述的成像设备,其中第二电压是大于第一电压的反向电压,和

其中第三电压是小于第一电压的反向电压,或者大于第一电压但小于第二电压的反向电压。

4.按照权利要求2所述的成像设备,其中第二电压是小于第一电压的反向电压,和

其中第三电压是小于第一电压的反向电压,或者大于第一电压的反向电压。

5.按照权利要求2所述的成像设备,其中第二电压是正向电压,和

其中第三电压是小于第一电压的反向电压,或者大于第一电压的反向电压。

6.按照权利要求2-5任意之一所述的成像设备,其中检测器包括具有排列成矩阵的多个像素的检测单元,每个像素包括转换元件和连接到第一电极的开关元件,使开关元件进入导通状态以从检测单元输出电信号的驱动电路,传送所述电信号的信号线,和通过所述信号线读出所述电信号的读出电路,

其中电源单元包括连接到第二电极的第一电源,和通过所述读出电路连接到所述信号线的第二电源,

其中第二电源向信号线供给基准电位,和

其中第一电源在成像操作中向第二电极供给第一电位,在第一成像间操作中向第二电极供给不同于第一电位的第二电位,和在第二成像间操作中供给不同于第一电位和第二电位的第三电位。

7.按照权利要求1所述的成像设备,其中转换元件是具有第一电极、第二电极、半导体层、布置在第一电极和半导体层之间的绝缘层以及布置在半导体层和第二电极之间的杂质半导体层的MIS转换元件,和

其中电源单元在第一电极和第二电极之间供给第二电压或第三电压,以允许检测器进行刷新操作,所述刷新操作使由于向转换元件供给第一电压、而在半导体层中产生的电荷之中蓄积在半导体层和绝缘层之间的电子-空穴对中的电子或空穴向第二电极移动并湮灭。

8.按照权利要求7所述的成像设备,其中检测器包括具有排列成矩阵的多个像素的检测单元,每个像素包括转换元件和连接到第一电极的开关元件,使开关元件进入导通状态以从检测单元输出电信号的驱动电路,传送所述电信号的信号线,和通过所述信号线读出所述电信号的读出电路,

其中电源单元包括连接到第二电极的第一电源,和通过所述读出电路连接到所述信号线的第二电源,

其中第二电源向信号线供给基准电位,和

其中第一电源在成像操作中向第二电极供给第一电位,在第一成像间操作中向第二电极供给不同于第一电位的第二电位,和在第二成像间操作中供给不同于第一电位和第二电位的第三电位。

9.按照权利要求8所述的成像设备,其中杂质半导体层是n型杂质半导体层,和

其中如果第一电位用Vs表示,第二电位用Vr2表示,第三电位用Vr1表示,从第二电源供给信号线的电位用Vref表示,那么满足以下关系:

Vs-Vref>0

Vr1-Vref>0

Vr2-Vref≤0

Vs>Vr1>Vref>Vr2。

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