[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201180073630.6 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103828056A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 樽井阳一郎;末川英介;油谷直毅;日野史郎;三浦成久;今泉昌之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有MOSFET，该MOSFET具有：
阱区域，其形成在碳化硅半导体层的上表面部分；
源极区域，其形成在所述阱区域的上表面部分；
栅极氧化膜，其形成在所述阱区域以及所述源极区域上；以及
栅极电极，其形成在所述栅极氧化膜上，
所述源极区域的上表面部分处的杂质浓度小于或等于1×1018cm-3。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述源极区域的上表面部分处的杂质浓度小于或等于5×1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述源极区域中的杂质浓度的峰值大于或等于1×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述栅极氧化膜是利用湿式氧化、干式氧化、以及CVD法中的任意大于或等于1种而形成的。
5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
向所述阱区域和所述栅极氧化膜的界面导入有氮。
6.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置，其中，
构成所述源极区域的杂质为氮或磷。
7.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有MOSFET，该MOSFET具有：
阱区域，其形成在碳化硅半导体层的上表面部分；
源极区域，其形成在所述阱区域的上表面部分；
栅极氧化膜，其形成在所述阱区域以及所述源极区域上；以及
栅极电极，其形成在所述栅极氧化膜上，
所述源极区域的上表面部分处的杂质浓度大于或等于1×1018cm-3，
所述栅极氧化膜是至少最初利用干式氧化或CVD法形成的。
8.根据权利要求7所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述栅极氧化膜是最初利用干式氧化，然后利用CVD法形成的。
9.根据权利要求7所述的碳化硅半导体装置，其中，
所述栅极氧化膜是最初利用CVD法，然后利用湿式氧化或干式氧化形成的。
10.根据权利要求7所述的碳化硅半导体装置，其中，
向所述阱区域和所述栅极氧化膜的界面导入有氮。
11.根据权利要求7所述的碳化硅半导体装置，其中，
构成所述源极区域的杂质为氮或磷。
12.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：
工序（a），在该工序中，通过向碳化硅半导体层的上表面部分离子注入第1导电型的杂质，从而形成MOSFET的阱区域；
工序（b），在该工序中，通过向所述阱区域的上表面部分离子注入第2导电型的杂质，从而形成所述MOSFET的源极区域；
工序（c），在该工序中，在所述阱区域及所述源极区域上形成所述MOSFET的栅极氧化膜；以及
工序（d），在该工序中，在所述栅极氧化膜上形成所述MOSFET的栅极电极，
在所述工序（b）中，离子注入的所述第2导电型的杂质在所述源极区域的上表面部分处的浓度小于或等于1×1018cm-3。
13.根据权利要求12所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（b）中，离子注入的所述第2导电型的杂质在所述源极区域的上表面部分处的浓度小于或等于5×1017cm-3。
14.根据权利要求12所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（b）中，向所述源极区域离子注入的所述第2导电型的杂质的浓度峰值大于或等于1×1018cm-3。
15.根据权利要求12所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其中，
在所述工序（c）中，所述栅极氧化膜是利用湿式氧化、干式氧化热以及CVD法中的任意大于或等于1种而形成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180073630.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
