[发明专利]用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物有效
申请号: | 201180073121.3 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN103764874A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 朴英哲;李昔准;姜京敏;张尚勋 | 申请(专利权)人: | 东友FINE-CHEM股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;C23F1/44;C23F1/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;胡春光 |
地址: | 韩国全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 包括 金属 蚀刻 组合 | ||
1.一种用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物,所述蚀刻液组合物包括过硫酸盐、含氟化合物、无机酸、环胺化合物、含氯化合物、磷酸盐和水。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,所述蚀刻液组合物包括:基于所述组合物的总重量,5~20重量%的过硫酸盐、0.01~2重量%的含氟化合物、1~10重量%的无机酸、0.3~3重量%的环胺化合物、0.1~3重量%的含氯化合物、0.1~5重量%的磷酸盐和余量的水。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述过硫酸盐为选自由过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾所组成的群组中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述含氟化合物为选自由氟化铵、氟化钠、氟化钾、氢氟化铵、氢氟化钠和氢氟化钾所组成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述无机酸为选自由硝酸、硫酸、磷酸和过氯酸所组成的群组中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述环胺化合物为唑类化合物。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述环胺化合物为选自由5-氨基四唑、甲苯基三唑、苯并三唑、甲基苯并三唑和咪唑所组成的群组中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述含氯化合物为选自由氢氯酸、氯化钠、氯化钾和氯化铵所组成的群组中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述磷酸盐为选自由磷酸铵、磷酸钠和磷酸钾所组成的群组中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物,其中,所述金属层为包括铜基金属层及钛基金属层的多层。
11.根据权利要求10所述的蚀刻液组合物,其中,所述铜基金属层为铜层或铜合金层,所述钛基金属层为钛层或钛合金层。
12.一种制造半导体装置的方法,所述方法包括使用权利要求1所述的蚀刻液组合物蚀刻包括铜和钛的金属层的过程。
13.一种制造平板显示装置的方法,所述方法包括使用权利要求1所述的蚀刻液组合物蚀刻包括铜和钛的金属层的过程。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述平板显示装置为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
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