[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201180073006.6 | 申请日： | 2011-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103765574A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 富田和朗;山田圭一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/3205;H01L23/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体基板，具有主表面；
多个MIM电容器MCA，配置于所述半导体基板的所述主表面侧的规定的区域中，分别包括下部电极LEL、电介体膜DEC以及上部电极UEL；以及
保护环GR，配置成包围多个所述MIM电容器MCA的整体，
在多个所述MIM电容器MCA中，在一个MIM电容器MCA与其他MIM电容器MCA之间，不介有所述保护环GR，隔开规定的间隔D1配置相互相邻的所述一个MIM电容器MCA和所述其他MIM电容器MCA，
在所配置的多个所述MIM电容器MCA中的、位于最外侧的MIM电容器MCA的外侧，隔开与所述规定的间隔D1相同的间隔配置了所述保护环GR。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：多个所述MIM电容器MCA各自的平面图案是正方形。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：正方形的所述MIM电容器MCA的一边的长度是5μm～1000μm。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
在多个所述MIM电容器MCA中，
沿着第1方向配置至少2个所述MIM电容器MCA，
沿着与所述第1方向交叉的第2方向配置了至少2个所述MIM电容器MCA。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：在多个所述MIM电容器MCA中，被配置成沿着第1方向配置的所述MIM电容器MCA的数量、和沿着与所述第1方向交叉的第2方向配置的所述MIM电容器MCA的数量成为相同的数量。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
多个所述MIM电容器MCA各自的平面图案是长方形，
在多个所述MIM电容器MCA中，
被配置成与所述长方形的短边对应的侧的彼此之间相对，并且与所述长方形的长边对应的侧的彼此之间相对，
被配置成使与所述长边对应的侧的彼此之间相对地配置的所述MIM电容器MCA的数量多于使与所述短边对应的侧的彼此之间相对地配置的所述MIM电容器MCA的数量。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
多个所述MIM电容器MCA被配置成环状，
在所配置的多个所述MIM电容器MCA中的、位于最内侧的MIM电容器MCA的内侧，隔开与所述规定的间隔D1相同的间隔配置了所述保护环GR。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于包括：
层间绝缘膜IL2，形成于所述半导体基板上以覆盖所述MIM电容器MCA；以及
金属膜，以与所述层间绝缘膜IL2的表面相接的方式形成，与多个所述MIM电容器MCA的所述上部电极UEL的各个电连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
