[发明专利]用于测定转矩的装置以及所属的测量方法

权利要求书

1. 用于测定作用于驱动轴（14）的转矩的装置（20、42），包括：

-与所述驱动轴（14）或者该驱动轴的联轴器固定地相连接的磁场产生机构（14），该磁场产生机构在所述驱动轴（14）的周围环境中产生一取决于所述转矩的磁场；

-有机的、磁阻的OMR半导体元件（22’），所述OMR半导体元件位置固定地布置在所述周围环境中；以及

-用于在所述OMR半导体元件（22’）的两个电极（24、26）之间产生电压的电压源（28）。

2. 按权利要求1所述的装置（20、42），其中所述OMR半导体元件（22’）构造为层，该层至少局部地包围着所述驱动轴（14）和/或所述联轴器，其中所述层优选具有空心柱形（22、44、46、48）的或者其扇形区段的形状。

3. 按权利要求1或2所述的装置（20、42），其中所述OMR半导体元件（22’）布置在柔性的基板上。

4. 按前述权利要求中任一项所述的装置（20、42），所述装置具有一用于测量参量（Um）的测量机构（32到38），所述参量与流经所述OMR半导体元件的电流（I）和/或施加在所述OMR半导体元件上的电压（U）成比例。

5. 按前述权利要求中任一项所述的装置（20、42），其中所述电压源（28）设计成恒电压源。

6. 按前述权利要求中任一项所述的装置（20、42），其中OLED通过OMR半导体元件（22’）来构成，其中将所述电压（U）优选调节到一种数值（U0），在该数值时只有所述转矩满足预先确定的标准，所述OLED（22’）才发光。

7. 按前述权利要求中任一项所述的装置（42），所述装置总共具有至少两个所述类型的OMR半导体元件（44、46、48），所述OMR半导体元件具有不同的、描绘其磁阻的特性的特性曲线和/或在所述OMR半导体元件的电极上所述电压源在所述装置的运行中产生不同大小的电压。

8. 按前述权利要求中任一项所述的装置（42），所述装置总共具有至少两个OMR半导体元件（44、46、48），所述OMR半导体元件分别形成OLED（44、46、48），其中所述OLED（44、46、48）关于所述转矩具有不同的发光界限。

9. 按前述权利要求中任一项所述的装置（20、42），其中所述磁场产生机构（14）包括一元件，该元件通过反向的磁弹性根据其形状的、通过所述转矩引起的变化来产生所述磁场。

10. 用于测定通过驱动轴（14）传递的转矩（16、18）的方法，

-在所述驱动轴（14）上或者在该驱动轴的联轴器上根据所述转矩（16、18）产生磁场；

-借助于有机的、磁阻的半导体元件（22’）来检测在所述驱动轴（14）的周围环境中的磁场；

-根据所检测到的磁场借助于所述半导体元件（22’）来调节电参量（Um）。