[发明专利]光电二极管阵列、基准电压决定方法及推荐动作电压决定方法

权利要求书

1.一种基准电压决定方法，其特征在于，

是决定用于决定施加于光电二极管阵列的反偏电压的推荐动作电压的基准电压的基准电压决定方法，所述光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接的降压电阻，

使施加于所述光电二极管阵列的反偏电压变化而测定电流，并将所测定的电流的变化中的拐点处的反偏电压作为所述基准电压而决定。

2.如权利要求1所述的基准电压决定方法，其特征在于，

将所测定的电流的一次微分成为峰值的反偏电压作为所述基准电压而决定。

3.如权利要求1所述的基准电压决定方法，其特征在于，

将所测定的电流的二次微分成为零的反偏电压作为所述基准电压而决定。

4.一种推荐动作电压决定方法，其特征在于，

是决定施加于光电二极管阵列的反偏电压的推荐动作电压的推荐动作电压决定方法，所述光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接的降压电阻，

将对以权利要求1至3中任一项所述的基准电压决定方法所决定的基准电压加上规定的值而得到的电压作为所述推荐动作电压而决定。

5.一种推荐动作电压决定方法，其特征在于，

是决定施加于光电二极管阵列的反偏电压的推荐动作电压的推荐动作电压决定方法，所述光电二极管阵列具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接的降压电阻，

使施加于所述光电二极管阵列的反偏电压变化而测定电流，并将在所测定的电流的变化中、自下凸变成上凸的两个拐点之间的曲线部分处的反偏电压作为推荐动作电压而决定。

6.一种光电二极管阵列，其特征在于，

具备：以盖格模式动作的多个雪崩光电二极管；及相对于各个所述雪崩光电二极管串联连接的降压电阻，

设定基于以权利要求4或5所述的推荐动作电压决定方法所决定的推荐动作电压的倍增率。