[发明专利]具有分隔器件载体区域的沟槽结构的器件载体复合结构与用于制造多个器件载体区域的方法

说明书

技术领域

本专利申请涉及一种具有多个器件载体区域的器件载体复合结构以及一种用于制造多个器件载体区域的方法。

背景技术

光电子器件、例如光电子半导体芯片通常为了进一步处理被安装在器件载体上。

这种器件载体例如能够构成为陶瓷载体。但是通过这种器件载体很难满足高精度要求，例如对侧面的垂直度的要求。

发明内容

本发明的目的是，简化满足高精度要求的器件载体的构成。此外，应提出一种简化器件载体的制造的方法。

所述目的通过独立权利要求的主题来实现。设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。

根据一个实施形式，器件载体复合结构具有多个器件载体区域，所述器件载体区域优选设置为用于固定光电子半导体器件。器件载体复合结构具有载体本体，所述载体本体具有第一主面。在载体本体中，在第一主面一侧构成具有沿着第一方向优选彼此平行伸展的第一沟槽的沟槽结构，其中第一沟槽在横向于沟槽伸展的第二方向上对器件载体区域限界。在载体本体上构成覆层，以至于器件载体区域分别具有载体本体的至少局部地覆层的第一主面和沟槽结构的至少局部地覆层的侧面。

在用于制造多个器件载体区域的方法中，根据一个实施形式，提供具有第一主面和与第一主面相对置的第二主面的载体本体。沟槽结构在载体本体中在第一主面一侧构成，其中沟槽结构具有沿着第一方向伸展的第一沟槽，所述第一沟槽在横向于第一方向伸展的第二方向上相邻地设置的器件载体区域中至少局部地彼此分隔。构成至少局部地覆盖第一主面并且至少局部地覆盖沟槽结构的侧面的覆层。在第二主面的一侧使载体本体变薄，使得沟槽结构至少局部地在倾斜于或者垂直于第一主面伸展的方向上完全地延伸穿过载体本体。

该方法尤其适合于制造之前所描述的器件载体复合结构。

因此，下面结合器件载体复合物所描述的特征也能够用于所述方法并且反之亦然。

沟槽结构根据一个实施形式借助于化学的、特别是干法化学的方法或者借助于腐蚀构成。作为干化学的方法，深反应离子刻蚀（Deep Reactive Ion Etching，DRIE）或者基于此的方法、例如高级硅刻蚀（ASE）是特别合适的。通过这些方法，能够以高精度构成具有大的宽高比的沟槽，即与其宽度相比能够具有大的深度的沟槽。

因此，已经在构成沟槽结构时构成每个器件载体区域的至少一个侧面。在构成沟槽结构时能够非常准确地调节侧面的角度，以至于能够以非常高的精度来制造例如具有垂直于第一主面的侧面的沟槽。

载体本体优选基于半导体材料。例如硅由于其成本适宜的且大平面的可用性是特别适合的。但是也能够使用另一种半导体材料、例如砷化镓或者锗。

借助于在侧面之上延伸的覆层，固定在第一主面上的半导体元件能够以简单的方式电接触。

在一个设计变型形式中，器件载体区域的至少两个侧面至少局部地被覆层。覆层也能够全方位地至少局部地或者完全地覆盖器件载体区域的侧面。因此，载体本体全面地设置有覆层。

在一个优选的设计方案中，覆层借助于覆层源构成，其中覆层源的主覆层方向倾斜于第一主面上的法线。因此，简化了器件载体区域的至少一个侧面的覆层的构成。

在覆层期间，载体本体能够关于第一主面的法线旋转。因此，简化了器件载体区域的侧面的多边的或者也可以是全方位的覆层。

在器件载体复合结构的一个实施方案变型形式中，第一沟槽沿着第一方向仅局部地在载体本体上延伸。换句话说，载体本体沿着第一方向的扩展大于第一沟槽沿着该方向的扩展。此外，优选载体本体构成为连续的。因此，能够在共同的、机械稳定的器件载体复合结构中提供所有的器件载体区域。

在一个改进方案中，沿着第二方向相邻地设置的器件载体区域通过连续的载体本体中的第一沟槽彼此分隔。

在另一实施方案变型中，沟槽结构具有沿着第二方向、特别是彼此平行伸展的第二沟槽，所述第二沟槽沿着第一方向对器件载体区域限界。在这种沟槽结构中，在构成沟槽结构时构成载体本体的两个或更多的、特别是所有的侧面。能够放弃用于将器件载体复合结构分割成器件载体区域的附加的分割步骤。

在一个优选的改进方案中，器件载体区域设置在共同的辅助载体上，例如设置在粘性薄膜上，并且借助于沟槽结构彼此分隔。器件载体区域因此以分割的形式、例如矩阵状地存在于辅助载体上。因此，例如借助于拾取和放置法对器件载体区域装配半导体器件与作为散装货物存在的器件载体相比被简化。