[发明专利]双平面存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

多个导体结构，每个导体结构具有在第一方向上延伸的顶导线段、在与所述第一方向成角度的第二方向上延伸的中间导线段、在与所述第一方向相反的方向上延伸的底导线段、以及连接所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段的通孔；

在上平面中形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述顶导线段的交叉点处的多个存储单元；以及

在下平面中形成在每个导体结构的所述中间导线段与邻近的导体结构的所述底导线段的交叉处的多个存储单元。

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述导体结构被布置在所述存储器阵列中，以便相邻导体结构的所述通孔被设置在对角线上。

3.如权利要求2所述的存储器阵列，其中所述导体结构的所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段被标出尺寸，以便每个顶导线段或底导线段将与所选择数量的中间导线段相交叉，并且每个中间导线段将与所述所选择数量的顶导线段和所述所选择数量的底导线段相交叉。

4.如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储单元是忆阻器件。

5.如权利要求4所述的存储器阵列，其中每个存储单元具有包括由金属氧化物形成的开关材料的有源区域。

6.一种存储器阵列，包括：

在顶层中在第一方向上延伸的多个顶导线段；

在中间层中在与所述第一方向成角度的第二方向上延伸的多个中间导线段；

在底层中在与所述第一方向相反的方向上延伸的多个底导线段；

在上平面中形成在所述顶导线段与所述中间导线段的交叉处的多个存储单元；

在下平面中形成在所述中间导线段与所述底导线段的交叉处的多个存储单元；以及

多个通孔，每个通孔连接顶导线段、中间导线段和底导线段。

7.如权利要求6所述的存储器阵列，其中所述通孔被布置在对角线上。

8.如权利要求7所述的存储器阵列，其中所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段被标出尺寸，以便每个顶导线段或底导线段将与所选择数量的中间导线段相交叉，并且每个中间导线段将与所述所选择数量的顶导线段和所述所选择数量的底导线段相交叉。

9.如权利要求6所述的存储器阵列，其中所述存储单元是忆阻器件。

10.如权利要求9所述的存储器阵列，其中每个存储单元具有包括由金属氧化物形成的开关材料的有源区域。

11.一种存储器阵列，包括：

多个导体结构，每个导体结构具有通过通孔连接在一起的顶导线段、中间导线段和底导线段，其中顶导线段和底导线段在相反的方向上延伸，并且所述中间导线段在与所述顶导线段和所述底导线段垂直的方向上延伸；

设置在上平面和下平面中的多个存储单元，上平面中的每个存储单元形成在导体结构的顶导线段与另一导体结构的中间导线段的交叉处，并且下平面中的每个存储单元形成在导体结构的底导线段与另一导体结构的中间导线段的交叉处；以及

设置在所述导体结构下面的平面中的解码器，用来解码两个导体结构的所述通孔的地址以访问形成在所述两个导体结构的交叉处的存储单元。

12.如权利要求11所述的存储器阵列，其中所述导体结构的所述顶导线段、所述中间导线段和所述底导线段被标出尺寸，以便每个顶导线段或底导线段将与所选择数量的中间导线段相交叉，并且每个中间导线段将与所述所选择数量的顶导线段和所述所选择数量的底导线段相交叉。

13.如权利要求12所述的存储器阵列，其中所述导体结构的所述通孔沿对角线被形成。

14.如权利要求13所述的存储器阵列，其中所述存储单元是忆阻器件。

15.如权利要求14所述的存储器阵列，其中每个存储单元具有包括由金属氧化物形成的开关材料的有源区域。