[发明专利]光电子装置

权利要求书

1.一种光电子装置（1），所述光电子装置具有光电子器件（21），所述光电子器件设置为用于接收或者用于产生辐射并且具有主辐射穿透面（210），其中

-所述器件分配有孔（51），所述孔限定了用于穿过所述主辐射穿透面的所述辐射的辐射锥体，以及

-所述孔具有内面（510），所述内面具有倾斜地离开所述主辐射穿透面的区域（61）。

2.根据权利要求1所述的光电子装置，

其中所述主辐射穿透面和所述倾斜的区域彼此设置为，使得在所述主辐射穿透面和所述倾斜的区域之间不存在直接的辐射路径。

3.根据权利要求1或2所述的光电子装置，

其中所述倾斜的区域在垂直于所述主辐射穿透面伸展的方向上与所述主辐射穿透面间隔开。

4.根据权利要求3所述的光电子装置，

其中所述倾斜的区域的朝向所述光电子器件的边界（53）局部地限定所述辐射锥体。

5.根据权利要求3或4所述的光电子装置，

其中所述倾斜的区域的延长线（73）在所述主辐射穿透面的背离所述倾斜的区域的一侧上穿过所述主辐射穿透面。

6.根据权利要求3至5之一所述的光电子装置，

其中所述孔的所述内面在所述倾斜的区域的朝向所述器件的一侧上具有底切的区域（63）。

7.根据权利要求6所述的光电子装置，

其中所述内面借助所述倾斜的区域和所述底切的区域构成为，使得以相对于所述竖直方向最大的角度穿透过所述孔的射束的在所述底切的区域上的交点（89）在竖直的方向上离所述孔的距离与所述主辐射穿透面离所述孔的距离至少一样远。

8.根据权利要求1至7之一所述的光电子装置，

其中所述孔的所述倾斜的区域与所述孔的所述内面的另一个区域（515）相比更倾斜地离开所述光电子器件。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子装置，

其中所述器件固定在载体（3）上，并且所述孔借助于框架（4）形成，所述框架设置在所述载体（3）上，其中所述框架构成为有针对性地吸收所述待接收的或待产生的辐射。

10.根据上述权利要求之一所述的光电子装置，

其中所述光电子装置具有另一个光电子器件（22），所述另一个光电子器件与所述光电子器件形成发射器-检测器-对。

11.根据权利要求10所述的光电子装置，

其中所述发射器构成为荧光二极管并且所述检测器构成为二极管、光电晶体管或者构成为对辐射敏感的集成电路器件。

12.根据权利要求10或11所述的光电子装置，

其中所述另一个器件分配有另一个孔（52），所述另一个孔限定了用于穿过另一个主辐射穿透面的辐射的辐射锥体，

-所述另一个孔具有另一个内面（520），所述另一个内面具有另一个倾斜地离开所述主辐射穿透面的区域（62），以及

-所述另一个主辐射穿透面和所述另一个倾斜的区域彼此设置为，使得在所述另一个主辐射穿透面和所述另一个倾斜的区域之间不存在直接的辐射路径。

13.根据权利要求10至12之一所述的光电子装置，

其中所述倾斜的区域在所述孔的所述内面的进一步远离所述另一个光电子器件的侧上构成。

14.根据权利要求13所述的光电子装置，

其中所述另一个倾斜的区域在所述另一个孔的所述另一个内面的进一步远离所述光电子器件的侧上构成。

15.根据上述权利要求之一所述的光电子装置，其中所述光电子装置构成为接近传感器。