[发明专利]具有氧化金属膜的传感器及其应用有效
| 申请号: | 201180068902.3 | 申请日: | 2011-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN103403877A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
| 发明(设计)人: | 大前庆佑;森哲也;早瀬哲生;中岛诚二;西口真理子 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;G01J1/02;G01L9/02;G01L11/02;G01N27/04;G01N27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘晓迪 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 氧化 金属膜 传感器 及其 应用 | ||
1.一种传感器,其特征在于,
具有通过以下方法制造的氧化金属膜,且能够检测光、氢气和气压,
其中,所述方法包含:
有机膜形成工序,在基板或薄膜上涂覆基底组合物,并进行聚合,形成有机膜,其中,该基底组合物含有具有3个以上反应基的加聚性化合物、具有酸性基的加聚性化合物、具有亲水性官能团的加聚性化合物;
金属盐生成工序,将所述有机膜用含有金属(M1)离子的水溶液进行处理,由此将所述酸性基转换成金属(M1)盐;
金属固定工序,将经含有所述金属(M1)离子的水溶液所处理过的有机膜,用含有比所述金属(M1)离子的离子化倾向低的金属(M2)离子的金属(M2)离子水溶液进行处理,由此将所述酸性基的金属(M1)盐转换成金属(M2)盐;
还原工序,还原所述金属(M2)离子,由此在所述有机膜表面形成金属膜;
氧化工序,对所述金属膜进行氧化。
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,
所述氧化金属膜具有氧化金属粒子,该氧化金属粒子具有1nm以上100nm以下的粒径,为所述金属(M2)的氧化物;
就所述氧化金属膜而言,若在所述传感器的纵截面上,以与所述基板或薄膜的形成有所述有机膜的面平行的方式,取连接所述氧化金属膜的左端与右端的直线,则所述直线上的所述氧化金属粒子的平均粒径的分布方式为:从所述氧化金属膜的表面朝向所述有机膜逐渐减小。
3.根据权利要求1或2所述的传感器,其特征在于,
所述酸性基包括选自由苯酚基、苯甲酸基、苯二甲酸基、水杨酸基、乙酰水杨酸基、以及苯磺酸基组成的群中的1种以上官能团。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的传感器,其特征在于,
具有上述3个以上反应基的加聚性化合物的反应基包括丙烯酰基和/或异丁烯酰基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器,其特征在于,
所述亲水性官能团包括环氧乙烷基和/或氧化丙烯基。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的传感器,其特征在于,
所述金属(M1)为钾或钠。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器,其特征在于,
所述金属(M2)为选自由铟、锌、和锡组成的群中的1种以上金属。
8.一种水深测定用传感器,其特征在于,
具有权利要求1至7中任一项所述的传感器、和弹性体;
所述传感器被封装在所述弹性体的内部。
9.一种传感器的制造方法,其特征在于,
包含:
有机膜形成工序,在基板或薄膜上涂覆基底组合物,并进行聚合,形成有机膜,其中,该基底组合物含有具有3个以上反应基的加聚性化合物、具有酸性基的加聚性化合物、具有亲水性官能团的加聚性化合物;
金属盐生成工序,将所述有机膜用含有金属(M1)离子的水溶液进行处理,由此将所述酸性基转换成金属(M1)盐;
金属固定工序,将经含有所述金属(M1)离子的水溶液所处理过的有机膜,用含有比所述金属(M1)离子的离子化倾向低的金属(M2)离子的金属(M2)离子水溶液进行处理,由此将所述酸性基的金属(M1)盐转换成金属(M2)盐;
还原工序,还原所述金属(M2)离子,由此在所述有机膜表面形成金属膜;
氧化工序,对所述金属膜进行氧化,由此获得氧化金属膜。
10.一种检测光的照射和停止的方法,其特征在于,
包含:
对权利要求1至7中任一项所述的传感器照射光的工序、
停止所述光的照射的工序、
检测所述传感器在所述光的照射中和在所述光停止后所表现的电阻值的变化的工序。
11.一种氢气检测方法,其特征在于,
包含:
在氢气环境下对权利要求1至7中任一项所述的传感器照射光的工序、在氢气环境下停止所述光的照射的工序、
在氢气环境下检测所述传感器在所述光的照射中和在所述光停止后所表现的电阻值的变化的工序。
12.一种气压测定方法,其特征在于,
包含:
在不同的气压下对权利要求1至7中任一项所述的传感器照射光的工序、
在不同的气压下停止所述光的照射的工序、
在分别不同的气压下检测所述传感器在所述光的照射中和在所述光停止后所表现的电阻值的变化的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





