[发明专利]近场噪声抑制片材有效
申请号: | 201180068505.6 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN103392389B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 加川清二 | 申请(专利权)人: | 加川清二 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H01F1/00;H01Q17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 噪声 抑制 | ||
技术领域
本发明涉及一种近场噪声抑制片材,其适用于移动电话、智能手机等移动通信终端以及个人计算机等电子设备等中。
背景技术
近年来,移动通信终端、电子设备等在多功能化和高性能化之外,还追求其小型化和轻量化,在狭小空间内高密度地配置电子零件,并且还谋求高速化。因此,电路和零件之间的电磁波噪声、特别是高频噪声成为很大的问题。为了抑制这样的近场电磁波噪声,提出了多种噪声抑制片材,并且将其实用化。
上述噪声抑制片材大多含有磁性材料以及/或者导电材料。例如,在日本特开2010-153542号中公开了如下所述的电磁波噪声抑制片材,其包括:基材;由Cu等金属或者碳离子、含有鳞片或者细线的导电性涂敷材料构成的导电层;以及由含有铁素体、铁硅铝磁合金、强磁性铁镍合金等软磁性材料的磁性涂敷材料构成的磁性层。此外,在日本特开2006-278433号中公开了如下所述的复合电磁波噪声抑制片材:例如将具有Febal-Cu1-Si12.5-Nb3-Cr1-B12(原子%)的组成的非晶片那样的、由软磁性体粉末和树脂构成且进行了压延加工的两枚以上的片材进行层叠,进一步利用压延加工而实现一体化。然而,在日本特开2010-153542号以及日本特开2006-278433号中公开的噪声抑制片材皆存在如下问题:不具有足够的近场噪声吸收能力,由于将磁性材料以及/或者导电材料揉入到树脂中而成形为片材,因此难以实现薄壁化,并且制造成本较高。
日本特开2006-279912号公开有如下所述的内容:对于由准微波带产生的电磁波噪声,为了将其反射系数(S11)设在-10dB以下、并且将噪声抑制效果(ΔPloss/Pin)设在0.5以上,作为将表面电阻整合为空间的特性阻抗Z(377Ω)的、被控制在10~1000Ω/单位面积的近场电磁波噪声抑制薄膜而采用AlO、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜。然而,该近场电磁波噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力不足。
日本特开2008-53383号公开有如下所述的电波吸收屏蔽膜:其包括:导热率在面方向与厚度方向上不同的石墨膜;以及形成在石墨薄膜之上的、含有Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等软磁性体、Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等的铁素体以及碳颗粒的软磁性层,该电波吸收屏蔽膜的散热特性优异。然而,该电波吸收屏蔽膜的电磁波吸收能力也不足。
日本特开2006-93414号公开有如下所述的传导噪声抑制体:在聚酯等塑料基体(也可以含有软磁性金属、碳、铁素体等粉末)上通过物理蒸镀法,形成含有从铁、钴以及镍中选出的至少一种软磁性金属的、厚度为0.005~0.3μm的传导噪声抑制层,传导噪声抑制层由具有隔开数埃的间隔排列软磁性金属原子而成的晶格的部分、不存在软磁性金属仅为塑料的非常小的部分以及软磁性金属未结晶化且分散在塑料中的部分构成。然而,在该传导噪声抑制体处,传导噪声抑制层为单层,难以控制其厚度。因此,几乎在所有的实施例中都在塑料基体上复合有软磁性金属。此外,在唯一使用未复合有软磁性金属的塑料基体的实施例4中,1GHz的电力损耗率(Ploss/Pin)小至0.55。
发明内容
因而,本发明的目的在于,提供一种近场噪声抑制片材,其对数百MHz至数GHz的电磁波噪声具有稳定且较高的吸收能力,并且成本较低。
解决方案
鉴于上述目的而深入研究,其结果是,本发明者发现:(a)当调整在塑料膜上形成的金属薄膜的厚度使其表面电阻为20~150Ω/单位面积时,对于近场噪声能够发挥优异的吸收能力,但是由于表面电阻为20~150Ω/单位面积的金属薄膜非常薄,因此无论是在相同生产批次间还是不同生产批次间,都难以避免表面电阻的离散增大的情况;(b)若将这种具有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合,则表面电阻的离散会显著降低,从而可以稳定地得到具有所期望的表面电阻的金属薄膜,以至想到本发明。
即,本发明的近场噪声抑制片材的特征在于,将在一方的面上形成有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合,各金属薄膜由磁性金属构成,并且调整各金属薄膜的厚度以使粘合后的一对金属薄膜的表面电阻为20~150Ω/单位面积。
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