[发明专利]酞菁纳米棒及光电转换元件

权利要求书

1.一种酞菁纳米棒，其特征在于，含有未取代酞菁和具有取代基的酞菁，

所述酞菁纳米棒的短径为100nm以下，其长度与短径之比（长度/短径）小于10。

2.根据权利要求1所述的酞菁纳米棒，其中，未取代酞菁用通式（1）或（2）表示：

其中，在式（1）或（2）中，X是选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子、钯原子、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意种。

3.根据权利要求1所述的酞菁纳米棒，其中，具有取代基的酞菁用通式（3）或（4）表示：

其中，在式（3）或（4）中，X是选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子、钯原子、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意种，Y₁～Y₄表示键合酞菁骨架和R₁～R₄的连接基团；

不存在作为连接基团的Y₁～Y₄时，R₁～R₄为-SO₃H、-CO₂H、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的（低聚）芳基、可以具有取代基的（低聚）杂芳基、可以具有取代基的苯二甲酰亚胺基或可以具有取代基的富勒烯类；

Y₁～Y₄为用-（CH₂）_n-、-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-S-、-S（O）-或-S（O）₂-表示的连接基团时，R₁～R₄为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的（低聚）芳基、可以具有取代基的（低聚）杂芳基、可以具有取代基的苯二甲酰亚胺基或可以具有取代基的富勒烯类，a、b、c和d各自独立地表示0～4的整数，其中至少一者不为0，上述-（CH₂）_n-中，n表示1～10的整数。

4.根据权利要求1所述的酞菁纳米棒，其中，具有取代基的酞菁用通式（5）或（6）表示：

其中，在式（5）或（6）中，X表示选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子、钯原子、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意种，Z是下述式（a）或（b）所示的基团，a、b、c和d各自独立地表示0～4的整数，其中至少一者不为0；

其中，在式（a）中，n为4～100的整数，Q各自独立地为氢原子或甲基，Q’为碳原子数1～30的非环状烃基；

其中，在式（b）中，m为1～20的整数，R和R’各自独立地为碳原子数1～20的烷基。

5.一种墨组合物，其以权利要求1～4中的任一项所述的酞菁纳米棒和有机溶剂为必需成分。

6.根据权利要求5所述的墨组合物，其中，酞菁纳米棒的含有率为0.05～20质量%的范围。

7.根据权利要求5所述的墨组合物，其中，所述有机溶剂是酰胺系有机溶剂、芳香族系有机溶剂或卤素系有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的墨组合物，其中，所述酰胺系有机溶剂是N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺或N,N-二甲基乙酰胺。

9.根据权利要求7所述的墨组合物，其中，所述芳香族系有机溶剂是甲苯、二甲苯、乙基苯、氯苯或二氯苯。

10.根据权利要求7所述的墨组合物，其中，所述卤素系有机溶剂是氯仿、二氯甲烷或二氯乙烷。

11.根据权利要求5～10中的任一项所述的墨组合物，其还含有成膜性材料。

12.根据权利要求11所述的墨组合物，其中，成膜性材料是聚甲基丙烯酸甲酯、聚噻吩、聚苯乙烯撑、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚乙烯咔唑。

13.一种晶体管，其在通道部含有权利要求1～4中的任一项所述的酞菁纳米棒。

14.一种权利要求13所述的晶体管的制造方法，其特征在于，通过将权利要求5～12中的任一项所述的墨组合物成膜来制作通道部。