[发明专利]控制填料-聚合物组合物中的电阻率的方法以及与其相关的产品

权利要求书

1.控制填料-聚合物组合物中的电阻率的方法，包括：

使至少一种聚合物与至少一种填料组合，所述填料包括：

b)具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述二氧化硅相由受控表面覆盖量的二氧化硅相组成并且所述二氧化硅相作为双相填料的固有部分分布，其中该二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的5％至暴露表面积的90％，且其中较高的受控表面覆盖量提供在所述填料-聚合物组合物中较高的电阻率，或者

b)和c)的组合，其中，c)具有二氧化硅相和碳相的双相填料，其中所述双相填料具有受控形态，其中所述受控形态为碘值或OAN，且其中较高的碘值或OAN有助于较低的体积电阻率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料包含具有小于250nm的平均聚集体尺寸和45nm或更小的平均初级粒径的融合初级颗粒。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当双相填料在空气中以5℃/分钟的温度斜度经历从120℃直至450℃的温度时具有低于1％的失重。

4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述填料-聚合物组合物在最高达填料-聚合物组合物中所存在的聚合物的热稳定性的温度下热处理或后处理时，所述填料-聚合物组合物的所述电阻率得以保持。

5.根据权利要求1所述的方法，其中当所述填料-聚合物组合物在最高达450℃的温度下热处理或后处理时，所述填料-聚合物组合物的所述电阻率得以保持。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料具有10000ppm或更低的总硫含量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料具有500ppm或更低的总硫含量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料具有1ppm-100ppm的硫含量。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅相以基于该双相填料重量的30重量％-90重量％的量存在。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料具有连接的至少一种化学基团。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述双相填料具有连接的至少一种硅烷。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的10表面积％-90表面积％。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的20表面积％-85表面积％。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的30表面积％-80表面积％。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述二氧化硅相的所述受控表面覆盖量为暴露表面积的30表面积％-70表面积％。