[发明专利]磁场检测装置

权利要求书

1.一种包括数个功能不同的层（38，60，70）的磁场检测装置（50），其中惠斯通电桥层（70）包括惠斯通电桥（18）的至少两个电阻器（20），每个电阻器（20）包括至少一个子电阻器（22）形式的磁场感测元件（10），翻转导体层（38）包括至少一个用来翻转各个磁场感测元件（10）的内部磁化状态的翻转导体（30），其特征在于，所述翻转导体（30）包括多个导体条（32），这些导体条被设置在所述翻转导体层（38）的至少两个不同的翻转导体子层（38-1，38-2）上，并通过通孔相互电气耦合。

2.如权利要求1所述的磁场检测装置，其特征在于，第一组导体条装置（32，34）用来提供相关联的磁场感测元件（10）的偏转磁场，并被设置在面向惠斯通电桥层侧（70）的第一翻转导体子层（38-1）上，以及至少第二组导体条（32，36）用来提供所述第一组导体条（34）的电气连接，并被设置在至少一个第二翻转导体子层（38-2）上。

3.如权利要求2所述的磁场检测装置，其特征在于，所述第一组导体条（32，34）基本上垂直于所述磁场感测元件（10）的纵向排列，所述第二组导体条（32，36）基本上平行于所述磁场感测元件（10）的所述纵向排列。

4.如权利要求2或3所述的磁场检测装置，其特征在于，所述的第一组导体条（32，34）包括为所述磁场感测元件（10）的中间部分（80）提供偏转磁场的、所述垂直方向上的导体条（34）的叉指式结构，垂直的导体条（34）为所述磁场感测元件（10）的端部（82）提供偏转磁场。

5.如前述权利要求中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，所述的第一组导体条（34）被设计和布置为使得每个磁场感测元件（10）的两端部分（82）处的偏转磁场相对于所述磁场感测元件（10）的中间部分（80）的偏转磁场更强。

6.如权利要求2－5中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，所述第一组导体条（32，34）的至少一个导体条包括至少一个被设计来提供电流分配的电流分配元件（44），使得磁场感测元件（10）的中间部分（80）可激励出均匀的偏转磁场，电流分配元件为导电剖面（54）或导体条（32，34）的非导电区域（56），尤其是凹部（58），所述导体条（32，34）适于翻转所述磁场感测元件（10）的中间部分（80）的内部磁化状态。

7.如前述权利要求中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，所述的电阻器（20）包括至少两个子电阻器（22）形式的磁场感测元件（10），其中每个磁场感测元件（10）包括旋转彩柱结构（16），旋转彩柱结构（16）具有正向或负向的旋转彩柱排列（26，28），取决于其与相关的翻转导体（30）的垂直方向的导体条（34）上的电流方向的结构布置。

8.如权利要求7所述的磁场检测装置，其特征在于，所述惠斯通电桥层（70）上具有所述至少两个电阻器（20）的子电阻器（22）的叉指结构（24）。

9.如前述权利要求中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，所述磁场感测元件（10）的两个纵向端部（82）为锥形，优选为椭圆形。

10.如前述权利要求中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，设置在惠斯通电桥的层（70）上的所述桥电阻器（20）位于所述第一翻转导体子层（38-1）的下方和/或位于所述第二翻转导体子层（38-2）内。

11.如前述权利要求中的任一权利要求所述的磁场检测装置，其特征在于，补偿导体（60）产生补偿磁场来补偿外部磁场，所述补偿导体（60）设置在至少一个补偿导体层（62）上，优选地位于所述惠斯通电桥层（70）的顶部，并与所述翻转导体层（38）相邻和/或交错。