[发明专利]氧化物半导体膜以及半导体装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体膜，包括a-b面与所述氧化物半导体膜的表面实质上平行且c轴与所述氧化物半导体膜的所述表面实质上垂直的晶体，

其中，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于3.3nm^-1并小于或等于4.1nm^-1的区域中具有含有大于或等于0.2nm^-1的半峰全宽的电子衍射强度的第一峰值，

并且，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于5.5nm^-1并小于或等于7.1nm^-1的区域中具有含有大于或等于0.2nm^-1的半峰全宽的电子衍射强度的第二峰值。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，

其中所述第一峰值的所述半峰全宽大于或等于0.4nm^-1并小于或等于0.7nm^-1，

并且所述第二峰值的所述半峰全宽大于或等于0.45nm^-1并小于或等于1.4nm^-1。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中通过以来自所述晶体的所述c轴的方向的电子束的照射来进行电子衍射强度的测量。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，其中所述氧化物半导体膜的ESR测量中的g值位于1.93附近的区域中的峰值的自旋密度低于1.3×10¹⁸（自旋/cm³）。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体膜，

其中所述晶体包括由InGaO₃（ZnO）_m表示的结构，

并且m不是自然数。

6.一种氧化物半导体膜，包括：

第一晶体，在所述第一晶体中a-b面与所述氧化物半导体膜的表面实质上平行且c轴与所述氧化物半导体膜的所述表面实质上垂直；

第二晶体，在所述第二晶体中a-b面与所述氧化物半导体膜的所述表面实质上平行且c轴与所述氧化物半导体膜的所述表面实质上垂直；以及

所述第一晶体与所述第二晶体之间的非晶区域，

其中，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于3.3nm^-1并小于或等于4.1nm^-1的区域中具有含有大于或等于0.2nm^-1的半峰全宽的电子衍射强度的第一峰值，

并且，所述氧化物半导体膜在散射向量的大小大于或等于5.5nm^-1并小于或等于7.1nm^-1的区域中具有含有大于或等于0.2nm^-1的半峰全宽的电子衍射强度的第二峰值。

7.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，

其中所述第一峰值的所述半峰全宽大于或等于0.4nm^-1并小于或等于0.7nm^-1，

并且所述第二峰值的所述半峰全宽大于或等于0.45nm^-1并小于或等于1.4nm^-1。

8.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，其中通过以来自所述第一或第二晶体的所述c轴的方向的电子束的照射来进行电子衍射强度的测量。

9.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，其中所述氧化物半导体膜的ESR测量中的g值位于1.93附近的区域中的峰值的自旋密度低于1.3×10¹⁸（自旋/cm³）。

10.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，

其中所述第一晶体及所述第二晶体中的每一个包括由InGaO₃（ZnO）_m表示的结构，

并且m不是自然数。

11.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，其中所述第一晶体的a轴方向与所述第二晶体的a轴方向互不相同。

12.根据权利要求6所述的氧化物半导体膜，其中所述第一晶体的b轴方向与所述第二晶体的b轴方向互不相同。