[发明专利]气化装置的构造和方法无效
| 申请号: | 201180066366.3 | 申请日: | 2011-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN103402608A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
| 发明(设计)人: | J.马克 | 申请(专利权)人: | 氟石科技公司 |
| 主分类号: | B01D53/62 | 分类号: | B01D53/62;B01D53/52 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李连涛;杨思捷 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气化 装置 构造 方法 | ||
1.运行合成气处理装置的方法,其包括:
由CO2吸收塔向H2S吸收塔提供合成气和载有CO2的贫溶剂以由此在H2S吸收塔中产生载有CO2的富溶剂和脱硫合成气;
在第一汽提塔中使用处理过的合成气作为第一汽提气和使用闪蒸蒸气作为第二汽提气从所述载有CO2的富溶剂中汽提CO2和H2,以由此产生汽提过的富溶剂和富CO2/H2的再循环气体;
将所述汽提过的富溶剂闪蒸,以由此产生闪蒸蒸气;
在第二汽提塔中进一步汽提所述汽提过的富溶剂,以由此再生用于CO2吸收塔中的贫溶剂和由此产生浓缩酸性气体;和
将所述脱硫合成气送入CO2吸收塔,以由此产生所述处理过的合成气和所述载有CO2的富溶剂。
2.权利要求1的方法,进一步包括在多个闪蒸步骤中再生一部分所述载有CO2的贫溶剂和将来自所述闪蒸步骤的冷却部分用于CO2吸收塔中的制冷的步骤。
3.权利要求2的方法,其中所述多个闪蒸步骤的至少一个产生闪蒸气体,进一步包括将所述闪蒸气体再循环至CO2吸收塔的步骤。
4.权利要求1的方法,进一步包括将所述浓缩酸性气体送入Claus装置并将氢化后的Claus装置尾气与所述合成气合并的步骤。
5.权利要求1的方法,进一步包括从所述富CO2/H2的再循环气体中分离水并将所述水作为回流流送至第二汽提塔的步骤。
6.权利要求1的方法,进一步包括使用COS水解反应器水解所述富CO2/H2的再循环气体中的COS的步骤。
7.权利要求1的方法,其中所述合成气是变换合成气。
8.权利要求1的方法,其中将所述富CO2/H2的再循环气体再循环至所述H2S吸收塔。
9.运行包含脱碳段和脱硫段的合成气处理装置的方法,所述方法包括:
在所述脱碳段中在多个闪蒸步骤中再生一部分载有CO2的贫溶剂,和在CO2吸收塔中从脱硫气体中吸收CO2的同时将来自所述闪蒸步骤的冷却部分用于CO2吸收塔的制冷,以由此由贫溶剂产生处理过的合成气和载有CO2的贫溶剂;
将来自所述脱碳段的合成气和所述载有CO2的贫溶剂供应至所述脱硫段中的H2S吸收塔,以由此产生载有CO2的富溶剂和所述脱硫气体;
在第一汽提塔中使用处理过的进料气作为第一汽提气从所述载有CO2的富溶剂中汽提CO2和COS,以由此产生汽提过的富溶剂和含CO2/COS的塔顶产物;
将所述含CO2/COS的塔顶产物送入COS水解反应器以水解COS和产生用于与合成气合并的再循环气体;和
在第二汽提塔中进一步汽提所述汽提过的富溶剂,以由此再生所述贫溶剂和由此产生浓缩酸性气体。
10.权利要求9的方法,进一步包括在将所述合成气供应至H2S吸收塔之前对所述合成气施以变换反应的步骤。
11.权利要求9的方法,进一步包括将所述再循环气体与所述合成气合并的步骤。
12.权利要求9的方法,进一步包括将所述浓缩酸性气体送入Claus装置并将氢化后的Claus装置尾气与所述合成气合并的步骤。
13.权利要求9的方法,其中所述浓缩酸性气体具有至少35摩尔%的H2S含量,且其中所述处理过的合成气具有等于或小于2摩尔%的CO2含量。
14.合成气处理装置,其包含:
H2S吸收塔,其构造成接收合成气和载有CO2的贫溶剂并进一步构造成产生载有CO2的富溶剂和脱硫合成气;
第一汽提塔,其流体连接到H2S吸收塔以接收所述载有CO2的富溶剂并构造成允许使用处理过的合成气作为第一汽提气和使用闪蒸蒸气作为第二汽提气由此允许产生汽提过的富溶剂和富CO2/H2的再循环气体;
第一闪蒸器,其流体连接到第一汽提塔上并构造成接收和闪蒸所述汽提过的富溶剂以由此允许产生所述闪蒸蒸气;
第二汽提塔,其流体连接到第一闪蒸器并构造成接收和进一步汽提所述汽提过的富溶剂以由此允许生成贫溶剂和浓缩酸性气体;和
CO2吸收塔,其流体连接到H2S吸收塔并构造成接收所述脱硫合成气并进一步构造成允许使用所述贫溶剂由所述脱硫合成气生成该处理过的合成气以由此允许产生所述载有CO2的富溶剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于氟石科技公司,未经氟石科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180066366.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内嵌栅接地NMOS触发的可控硅瞬态电压抑制器
- 下一篇:半导体器件制造方法





