[发明专利]用于化学气相沉积系统的夹具及其相关方法有效
| 申请号: | 201180063930.6 | 申请日: | 2011-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN103459662B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
| 发明(设计)人: | 秦文军 | 申请(专利权)人: | GTAT有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 褚海英,陈桂香 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 化学 沉积 系统 夹具 及其 相关 方法 | ||
1.一种夹具,其包括:
第一部分,其包括井及细丝通道;以及
第二部分,其具有电极通道。
2.如权利要求1所述的夹具,其中,所述井由从所述井的底面沿圆周延伸至所述第一部分的端部的多个板条界定而成。
3.如权利要求2所述的夹具,其中,所述多个板条中的每一个均通过窗口分开,每一所述窗口至少部分地沿相邻板条的长度延伸。
4.如权利要求1所述的夹具,其中,所述夹具具有圆柱形本体,并且所述井同轴地设置于所述本体中且至少部分地由沿圆周围绕所述井的壁界定而成。
5.如权利要求1所述的夹具,还包括沿圆周围绕所述井而设置的多个狭槽。
6.如权利要求5所述的夹具,其中,所述多个狭槽中的每一个均基本上沿所述井的长度延伸。
7.如权利要求1所述的夹具,其中,所述井、所述细丝通道及所述电极通道沿所述夹具的纵轴同轴地设置。
8.一种化学气相沉积系统,其包括:
夹具,其具有截头圆锥形部以及接触部,所述截头圆锥形部具有细丝通道并同轴地围绕柱形井,以及
细丝,其端部被固定在所述细丝通道中。
9.如权利要求8所述的化学气相沉积系统,其中,所述柱形井的直径大于所述细丝通道的直径。
10.如权利要求9所述的化学气相沉积系统,还包括第二夹具,所述第二夹具具有接触部、细丝通道及沿圆周围绕井的截头圆锥形部,其中所述细丝的第二端部被固定在所述第二夹具的细丝通道中。
11.如权利要求10所述的化学气相沉积系统,其中,所述细丝通过所述第一夹具的所述接触部及所述第二夹具的所述接触部电连接至电流源。
12.如权利要求8所述的化学气相沉积系统,其中,所述截头圆锥形部具有将所述井的内部空间流体连接至所述夹具的外部环境的多个窗口。
13.如权利要求12所述的化学气相沉积系统,其中,所述多个窗口中的每一个均基本上沿所述井的至少一部分而平行于所述截头圆锥形部的纵轴延伸。
14.一种制造半导体棒的方法,其包括:
将第一夹具固定在气相沉积反应器中,所述第一夹具具有细丝通道及同轴地围绕柱形井的截头圆锥形部;
将第二夹具固定在所述气相沉积反应器中,所述第二夹具具有细丝通道及同轴地围绕柱形井的截头圆锥形部;
将细丝的第一端部固定在所述第一夹具的所述细丝通道中,并将所述细丝的第二端部固定在所述第二夹具的所述细丝通道中;
将至少一种半导体前体化合物引入所述气相沉积反应器中;以及
使电流流经所述细丝以将所述细丝加热至反应温度,从而促进所述至少一种半导体前体化合物的至少一部分在所述被加热的细丝上转变成半导体。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述第一夹具具有围绕所述柱形井设置的多个窗口。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





