[发明专利]有机半导体材料、含有该材料而成的涂布液以及有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种下式(1)所表示的有机半导体材料，

式(1)中，R₁、R₃、R₄和R₆分别独立地为氢原子、碳数3～20的直链烷基、或者碳数3～40的支链烷基，

R₂和R₅分别独立地为氢原子、碳数3～11的直链烷基、或者碳数3～40的支链烷基，

其中，R₁～R₆中的两个以上为烷基。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，

R₁、R₃、R₄和R₆为氢原子。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，

R₁、R₂、R₄和R₅为氢原子。

4.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中，

R₂、R₃、R₅和R₆为氢原子。

5.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其如下所示，

6.一种下式(5)所表示的有机半导体材料，

式(5)中，R₁₃、R₁₄、R₁₅和R₁₆分别独立地为碳数3～11的直链烷基、或者碳数3～40的支链烷基。

7.一种涂布液，其含有权利要求1～6中任一项所述的有机半导体材料和有机溶剂。

8.一种有机薄膜晶体管，其使用权利要求7所述的涂布液制造而得。

9.一种有机薄膜晶体管，其具备使用权利要求7所述的涂布液制造而得的有机半导体层。

10.根据权利要求8或9所述的有机薄膜晶体管，其具有源电极和漏电极，并利用流过源电极与漏电极之间的电流来进行发光，且通过对栅电极施加电压来控制发光。

11.根据权利要求10所述的有机薄膜晶体管，其中，

所述源电极和漏电极中的一个包含功函数4.2eV以上的物质，另一个包含功函数4.3eV以下的物质。

12.根据权利要求10或11所述的有机薄膜晶体管，其在所述源电极及漏电极与有机半导体层之间具有缓冲层。

13.一种装置，其具备权利要求8～12中任一项所述的有机薄膜晶体管。