[发明专利]化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201180063037.3 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103443929A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张毅闻;山田明 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层，其中，所述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述化合物半导体的组成为CuxInyGa1-ySezS2-z，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤2。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述化合物半导体的组成为Cu2-xSnyZn2-ySezS4-z，其中，0≤x≤2，0≤y≤2，0≤z≤4。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述纳米粒子包含In和S。
5.根据权利要求4所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述纳米粒子的In/S摩尔比为1/8～2。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述纳米粒子为In2S3。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述纳米粒子的平均粒径为1nm以上且200nm以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述油墨包含含有S原子的连结料。
9.根据权利要求8所述的化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，所述含有S原子的连结料由下述化学式表示，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～10的烷基。
10.一种化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，具备通过涂布或印刷权利要求1～3中任一项所述的油墨、进行热处理而得到的缓冲层。
11.一种化合物半导体薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
在电极上形成光吸收层；
在所述光吸收层上涂布或印刷包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨，形成涂膜；和
对所述涂膜进行热处理，从而形成缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
