[发明专利]具有掺杂层的光电子元件

权利要求书

1.一种有机电子元件或有机光电子元件，其具有电极和对电极以及在所述电极与所述对电极之间的层系统，所述层系统包含至少一个有机层和至少一个掺杂层，其特征在于，以氟离子亲和力为度量，在所述掺杂层中的掺杂剂是与五氟化锑(SbF₅)相比较强的Lewis酸或是与1，8-双(二甲基氨基)萘相比较强的Lewis碱。

2.根据权利要求1所述的元件，其特征在于所述掺杂剂是有机化合物、有机金属化合物或无机化合物。

3.根据权利要求1或2所述的元件，其特征在于所述掺杂剂具有至少10、优选至少20、更优选大于30并且至多100个原子。

4.根据权利要求3所述的元件，其特征在于所述掺杂剂是三(全氟-叔丁氧基)-铝(III)。

5.根据权利要求3所述的元件，其特征在于，所述掺杂剂是通式为H(CB₁₁H_12-nX_n)的碳硼烷酸，特别是H(CB₁₁H₆X₆)或H(CHB₁₁X₁₁)，其中X选自Cl、Br、I、F、CF₃及其组合，并且n是整数0至12。

6.根据权利要求3所述的元件，其特征在于，所述掺杂剂是[R][碳硼烷]或[R_3-aH_aSi][碳硼烷]化合物，特别是[R₃C][碳硼烷]或[R₃Si][碳硼烷]化合物，其中a是整数0至2，并且R是烷基、芳基或杂芳基，[碳硼烷]是[CB₁₁R′_12-nX_n]^-，特别是[CHB₁₁R′₅X₆]^-，R′是H、CH₃，并且X是卤素，n是整数0至12。

7.根据权利要求3所述的元件，其特征在于所述掺杂剂是来自具有下式的五氟苯基酰胺类的金属化合物：

其中M是金属，优选地选自Co、Ni、Pd和Cu。

8.根据权利要求3所述的元件，其特征在于，所述掺杂剂是式[R₃Si-X-SiR₃]⁺[BAr₄]^-的化合物，其中R独立地选自C₁-C₁₀-烷基、C₃-C₁₀-芳基或杂芳基和/或两个相邻的R基团一起形成饱和或不饱和的环，X是卤素，并且Ar是卤化的、优选地氟化的芳基或杂芳基。

9.根据权利要求3所述的元件，其特征在于所述掺杂剂是式((R₂N)₂-C＝N)_n-Ar的化合物，其中R独立地为C₁-C₅-烷基，在每种情况下为取代的或未取代的，其中两个相邻的R可以彼此连接，并且Ar是芳基或杂芳基，但优选为苯基、萘基或蒽基，并且n是整数，优选为2、3或4。

10.根据权利要求3所述的元件，其特征在于所述掺杂剂是式((RmX)-NC)nY或((RmX)-NC)nY^-M+的化合物，其中在每种情况下R是取代的或未取代的C1至C10-烷基、卤化的C1至C10-烷基、卤素基、具有3至14个芳族原子的C3至C14-芳基或杂芳基；X选自C、B、Si；Y选自C、B、Al；M是任何阳离子，并且n和m分别为整数，使得分子对外部是不带电的。

11.根据前述权利要求中任一项所述的元件，其特征在于，所述掺杂剂以按质量计至多35％、但优选为至多30％的比例存在于所述层中。

12.根据前述权利要求中任一项所述的元件，其特征在于，所述元件是OLED、有机太阳能电池、场效应晶体管(OFET)或光电检测器。

13.化合物用于在有机电子元件或有机光电子元件中作为单层以及用于掺杂电荷载流子传输层或有源层的用途，以氟离子亲和力(FIA)为度量，所述化合物为与五氟化锑(SbF₅)相比较强的Lewis酸或与1，8-双(二甲基氨基)萘相比较强的Lewis碱。