[发明专利]SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶体的制造装置，其中，

该制造装置包括：

坩埚，其具有筒状的侧壁和配置在上述侧壁的下端的底壁，且该坩埚能够收纳SiC溶液；

腔室，其用于收纳上述坩埚；

晶种轴，其沿腔室的上下方向延伸，并具有供SiC晶种安装的下端面，该晶种轴将安装于上述下端面的SiC晶种浸渍在上述SiC溶液中；

感应加热装置，其配置在上述腔室内，且配置在上述坩埚的侧壁周围；以及

控制装置，其用于控制上述感应加热装置；

在将上述感应加热装置使电磁波向上述侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将上述感应加热装置使电磁波向上述SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将上述侧壁的厚度设为T（mm），将上述坩埚的内半径设为R（mm）时，上述控制装置控制上述感应加热装置，以使得在上述感应加热装置中流动的交流电流的频率f（Hz）满足式（1），

（D1－T）×D2／R＞1（1）；

在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义，

D1＝503292×（1／（f×σc×μc））^1/2（2）；

D2＝503292×（1／（f×σs×μs））^1/2（3）；

在此，σc是上述侧壁的导电率（S／m），σs是上述SiC溶液的导电率（S／m）；μc是上述侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是上述SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。

2.根据权利要求1所述的制造装置，其中，

上述坩埚的侧壁的内表面含有碳。

3.一种SiC单晶体的制造方法，其中，

该制造方法包括：

准备制造装置的工序，该制造装置包括：坩埚，其具有筒状的侧壁和配置于上述侧壁的下端的底壁，且该坩埚用于收纳SiC溶液；腔室，其用于收纳上述坩埚；晶种轴，其沿上述腔室的上下方向延伸，并在下端面安装有SiC晶种；感应加热装置，其配置在上述腔室内，且配置在上述坩埚的侧壁周围；

将安装于上述晶种轴的SiC晶种浸渍在上述坩埚内的SiC溶液中的工序；

在将上述感应加热装置使电磁波向上述侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将上述感应加热装置使电磁波向上述SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将上述侧壁的厚度设为T（mm），将上述坩埚的内半径设为R（mm）时，控制上述感应加热装置，以使得在上述感应加热装置中流动的交流电流的频率f（Hz）满足式（1）的工序；以及

一边使上述晶种轴旋转一边在上述SiC晶种上培育SiC单晶体的工序，

（D1－T）×D2／R＞1（1）；

在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义，

D1＝503292×（1／（f×σc×μc））^1/2（2）

D2＝503292×（1／（f×σs×μs））^1/2（3）

在此，σc是上述侧壁的导电率（S／m），σs是上述SiC溶液的导电率（S／m）；μc是上述侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是上述SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。