[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201180062818.0 申请日: 2011-07-29
公开(公告)号: CN103283019A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 小林昭一;铃木宏明;瓜生一英;瀬古公一;油井隆;荻原清己 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置包括:

第一扩张型半导体芯片,其具有第一半导体芯片和从该第一半导体芯片的侧面朝向外侧扩张地设置的扩张部,和

第二半导体芯片,其安装在所述第一扩张型半导体芯片上,并与所述第一半导体芯片电连接;

所述第一扩张型半导体芯片具有设置在所述扩张部上且与所述第一半导体芯片的电极电连接的第一扩张部电极焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述扩张部主要由覆盖所述第一半导体芯片的侧面的绝缘材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张型半导体芯片和所述第二半导体芯片通过凸块连接在一起。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括在上表面上安装了所述第一扩张型半导体芯片的布线基板,

所述布线基板和所述第一扩张型半导体芯片通过粘接层接合在一起,

所述第一扩张部电极焊盘与形成在所述布线基板的上表面上的基板电极焊盘电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括呈平板状且插入所述第一扩张型半导体芯片和所述布线基板之间的接合层。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张部电极焊盘和所述基板电极焊盘通过金属细线连接在一起。

7.根据权利要求3到5中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括对所述第一扩张型半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述金属细线进行封装的封装树脂。

8.根据权利要求1到3中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括具有安装所述第一扩张型半导体芯片的芯片安装部和引线的引线架,

所述引线架和所述第一扩张型半导体芯片通过粘接层接合在一起,

所述第一扩张部电极焊盘与所述引线电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括呈平板状且插入所述第一扩张型半导体芯片和所述芯片安装部之间的接合层。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张部电极焊盘和所述引线通过金属细线连接在一起。

11.根据权利要求8到10中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体装置还包括对所述第一扩张型半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述引线架进行封装的封装树脂,

所述引线架具有从所述封装树脂的背面露出的外部连接端子。

12.根据权利要求5或9所述的半导体装置,其特征在于:

所述接合层主要由金属、玻璃或硅形成。

13.根据权利要求1到12中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张型半导体芯片和所述第二半导体芯片设置为彼此的相应的边平行,

所述第一扩张型半导体芯片的一条边的长度比所述第二半导体芯片的所对应的边的长度长。

14.根据权利要求1到13中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张型半导体芯片和所述第二半导体芯片设置为彼此的相应的边平行,

所述第一扩张型半导体芯片的外缘部分未被所述第二半导体芯片覆盖。

15.根据权利要求13或14所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一扩张型半导体芯片的一条边和所述第二半导体芯片的所对应的边之间的间隔在500μm以上。

16.根据权利要求1到15中任一项所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片设置为彼此的相应的边平行,

所述第一半导体芯片的一条边比所述第二半导体芯片的所对应的边的长度短。

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