[发明专利]用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪

权利要求书

1.一种电流镜，包括：

偏置支路，包括：

第一晶体管和第二晶体管，被串联配置在电压源与接地之间；以及

分压器，被耦合在所述电压源与所述接地之间；以及

运算放大器，被配置为接收所述分压器的分压电压和在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的节点的电压作为输入，并且驱动所述第二晶体管的栅极以将所述节点拉向所述分压电压；

功率放大器核心，被耦合到所述偏置支路，包括：

第三晶体管和第四晶体管，被串联配置在所述电压源与所述接地之间，其中：

所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极被耦合，并且

所述第二晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的栅极被耦合。

2.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述第三晶体管和所述第四晶体管互补。

3.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述分压电压是所述电压源的电压除以二。

4.根据权利要求1所述的电流镜，其中：

所述分压器包括串联的第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器，其中所述第一电阻器耦合到所述电压源，所述第三电阻器耦合到接地，并且所述第二电阻器耦合于所述第一电阻器与所述第三电阻器之间，

所述第一晶体管的第一源极-漏极区域和第二源极-漏极区域分别耦合到所述电压源和所述第二晶体管的第一源极-漏极区域，

所述第二晶体管的第二源极-漏极区域耦合到接地，并且

所述支路还包括：

第二运算放大器，具有：第一输入，耦合到所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域；第二输入，在所述第一电阻器与所述第二电阻器之间耦合到所述分压器并且被配置为接收所述电压源的第二分压电压；以及输出，被配置为驱动所述第一晶体管的栅极以将第二节点拉向所述第二分压电压。

5.根据权利要求5所述的电流镜，其中所述偏置支路还包括在所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域与所述栅极之间设置的耦合电容器。

6.根据权利要求5所述的电流镜，还包括：

第一电阻器，被耦合在所述第一晶体管的所述栅极与所述第三晶体管的所述栅极之间，以及

第二电阻器，被耦合在所述第二晶体管的所述栅极与所述第四晶体管的所述栅极之间。

7.根据权利要求7所述的电流镜，还包括：

第一电容器和第二电容器，耦合到所述第一电阻器的相对端；以及

第三电容器和第四电容器，耦合到所述第二电阻器的相对端。

8.根据权利要求8所述的电流镜，其中所述第一电容器、所述第二电容器、所述第三电容器和所述第四电容器被被配置为从所述电流镜的输出节点解耦合所述电流镜的输入节点。

9.根据权利要求1所述的电流镜，其中：

在所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的节点是被配置为接收AC信号的输入节点，

在所述第一电感器与所述第三晶体管之间的节点是第一输出节点，并且

在所述第二电感器与所述第四晶体管之间的节点是第二输出节点。

10.根据权利要求1所述的电流镜，其中所述偏置支路还包括在所述电压源与所述第一晶体管的第一源极-漏极区域之间耦合的受控电流源，并且所述功率核心被被配置为镜像从所述受控电流源向所述偏置支路提供的电流。

11.根据权利要求10所述的电流镜，其中：

所述偏置支路还包括：

第五晶体管，被耦合在所述受控电流源与所述第一晶体管的所述第一源极-漏极区域之间，以及

第六晶体管，被耦合在所述接地与所述第二晶体管的第一源极-漏极区域之间；并且

所述PA核心还包括：

第七晶体管，被耦合在所述第一电感器与所述第三晶体管的第一源极-漏极区域之间，以及

第八晶体管，被耦合在所述接地与所述第四晶体管的第一源极-漏极区域之间，并且其中：

所述第五晶体管和所述第七晶体管的栅极耦合到第一偏置电压源，并且

所述第六晶体管和所述第八晶体管的栅极相互耦合并且耦合到第二偏置电压源。