[发明专利]汽化器有效
申请号: | 201180062075.7 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN103380486A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 楠原昌树;梅田优;深川满;都田昌之 | 申请(专利权)人: | 株式会社渡边商行;楠原昌树;梅田优;都田昌之 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/448 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 张涛;巩固 |
地址: | 日本东京都中央*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 汽化器 | ||
1.汽化器包括:
成膜用液体材料分散于其中的载体气体所被导入的汽化器主体;和
配置于汽化器主体内的加热器主体,其中:
所述加热器主体被配置依次包括入口部分,圆周部分,和排出部分;且
加热器主体的入口部分的形状为圆锥或多角锥。
2.根据权利要求1所述的汽化器,
其中加热器主体被配置在载体气体的入口部分的延长轴上。
3.根据权利要求1或2所述的汽化器,
其中汽化后气体的排出部分布置于所述负载气体的入口部分的延长轴上。
4.根据权利要求1-3任一所述的汽化器,
其中围绕内部布置有加热器的圆周部分的通道的横截面积为无加热器的通道的横截面积的0.8-1.2倍。
5.根据权利要求1-3任一所述的汽化器,
其中围绕内部配置有加热器的入口部分的圆锥的通道的横截面积为在加热器主体的入口部分无加热器的通道的横截面积的0.8-1.2倍。
6.根据权利要求1-5任一所述的汽化器,
其中含有成膜用液体材料的负载气体以50m/sec-350m/sec的速度范围被导入汽化器主体。
7.根据权利要求1-6任一所述的汽化器,
其中被配置用于冷却载体气体的入口部分的单元被提供。
8.根据权利要求1-7任一所述的汽化器,
其中第二加热器被配置于汽化器主体的排出侧的外围。
9.根据权利要求1-8任一所述的汽化器,
其中在加热器主体的入口部分的圆锥内,圆锥高度/圆锥底部直径为0.5-1的范围。
10.包括根据权利要求1-9任一所述的汽化器的成膜装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造