[发明专利]酸阻断阴离子膜

权利要求书

1. 用于制备具有织造或非织造布增强结构的酸阻断阴离子选择性聚合膜的方法，所述膜的聚合物通过以下过程制备，所述过程包括在自由基聚合引发剂存在下，使组分(I) 烯属不饱和脂族或芳族叔胺或季胺单体、(II) 交联单体和(III) 乙烯基苄基氯共聚。

2. 如权利要求1所述的方法，其中组分I:I:III的摩尔比为约20-60:30-70:1-19，其中所述I、II和III加起来等于100摩尔%。

3. 如权利要求2所述的方法，其中组分I:II:III的摩尔比为约35-45:45-55:10-15。

4. 如权利要求1所述的方法，所述共聚在不存在非可聚合的溶剂下进行。

5. 如权利要求1所述的方法，其中所述组分(I)包括烯属不饱和脂族叔胺。

6. 如权利要求1所述的方法，其中所述组分(I)包括烯属不饱和芳族叔胺。

7. 如权利要求5所述的方法，其中所述组分I包括选自DMAEMA和DMAPMA的成员。

8. 如权利要求6所述的方法，其中所述组分I为乙烯基吡啶。

9. 如权利要求7所述的方法，其中所述引发剂(IV)包括过氧化物引发剂。

10. 如权利要求7所述的方法，其中所述交联单体包括选自DVB和EGDM的成员。

11. 如权利要求10所述的方法，其中所述布包括选自聚丙烯织造布、聚酯织造布和聚丙烯酸织造布的成员，所述膜的水含量%为约12-20重量%，并且在1,000 Hz下，在0.01N NaCl溶液中测量的电阻R ohm-cm²为约50-100。

12. 如权利要求10所述的方法，其中所述布包括选自聚丙烯织造布、聚酯织造布、聚酯织造布、聚丙烯酸织造布和变性聚丙烯腈织造布的成员，所述膜呈现大于约93%的电流效率。

13. 一种用于电渗析设备类型的阴离子交换膜，所述膜包含织造或非织造布，所述布用包含组分(I)、(II)和(III)的反应产物的共聚物浸渍，其中(I)为烯属不饱和脂族或芳族叔胺或季胺单体，(II)为交联单体，和(III)为乙烯基苄基氯。

14. 如权利要求13所述的阴离子交换膜，其中所述组分(I)选自式A-D，其中

式A－脂族叔胺

其中R1为H或CH₃，X为O或NH₂，R2为低级烷基(C₁-C₆)亚烷基，及R3和R4独立地选自低级(C₁-C₆)烷基；

式B－脂族季胺

其中R1、R2、R3和R4如式A所定义；R5选自低级(C₁-C₆)烷基，A为选自卤代和MeSO₄^-的阴离子；

式C－芳族叔胺

其中R6为乙烯基；

式D

其中R6与式C相同，R2当存在时与式A相同；R3、R4和R5与式B相同，并且A^-与式B的定义相同。

15. 如权利要求14所述的阴离子交换膜，其中组分I:II:III的摩尔比为约20-60:30-70:1-19%，其中前述百分比相加达到100%。

16. 如权利要求15所述的阴离子交换膜，其中组分I:II:III的摩尔比为约35-45:45-55%:10-15%。

17. 如权利要求15所述的阴离子交换膜，其中组分I:II:III的摩尔比为约37-40%:48-50%:12-13%。

18. 如权利要求16所述的阴离子交换膜，其中所述组分(I)包括选自DMAEMA和DMAPMA的成员，所述膜的特征为电流效率大于93%。

19. 如权利要求18所述的阴离子交换膜，其中交联单体组分(II)为选自DVB和EGDM的成员。

20. 一种包含聚合物增强的织物的阴离子交换膜，所述聚合物具有以下结构：

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