[发明专利]SOI晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201180061352.2 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103299395A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司;横川功;冈哲史 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi 晶片 制造 方法 | ||
1.一种SOI晶片的制造方法，其特征在于，在由硅单晶所构成的结合晶片的表面上形成硅氧化膜，通过该硅氧化膜，离子注入氢和稀有气体中的至少1种气体离子，以在前述结合晶片的内部形成离子注入层，隔着前述硅氧化膜将该结合晶片的经过离子注入的表面、与由硅单晶所构成的基体晶片的表面贴合后，以前述离子注入层为界来剥离前述结合晶片，由此来制作一种在前述基体晶片的外周的平台部上无氧化膜且将前述硅氧化膜作为埋入式氧化膜的SOI晶片；并且，
以使结构成为该SOI晶片的SOI层的外周端位于较前述埋入式氧化膜的外周端更外侧的方式，进行去除该埋入式氧化膜的外周部的处理，然后，在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对前述SOI晶片进行热处理后，在前述SOI层的表面形成外延层。
2.如权利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，通过将前述SOI晶片浸渍在含有HF的水溶液中，来进行去除前述埋入式氧化膜的外周部的处理。
3.一种SOI晶片的制造方法，其特征在于，在由硅单晶所构成的结合晶片的表面上形成硅氧化膜，通过该硅氧化膜，离子注入氢和稀有气体中的至少1种气体离子，以在前述结合晶片的内部形成离子注入层，隔着前述硅氧化膜将该结合晶片的经过离子注入的表面、与由硅单晶所构成的基体晶片的表面贴合后，以前述离子注入层为界来剥离前述结合晶片，由此来制作一种在前述基体晶片的外周的平台部上无氧化膜且将前述硅氧化膜作为埋入式氧化膜的SOI晶片；并且，
在包含氢的还原性环境或包含氯化氢气体的环境下，对该SOI晶片进行热处理后，进行去除在该SOI晶片的SOI层的外周露出的前述埋入式氧化膜的处理，然后，在前述SOI层的表面形成外延层。
4.如权利要求3所述的SOI晶片的制造方法，其中，通过将前述SOI晶片浸渍在含有HF的水溶液中，来进行去除在前述SOI层的外周露出的埋入式氧化膜的处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
