[发明专利]Bi置换稀土类铁石榴石单晶及其制造方法、以及光学器件有效
申请号: | 201180061324.0 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN103282556A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 白木健一;福原贵志;成田宪士 | 申请(专利权)人: | 并木精密宝石株式会社 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B19/02;G02B27/28;G02F1/09 |
代理公司: | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人: | 张成新 |
地址: | 日本东京都足*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | bi 置换 稀土 铁石 榴石单晶 及其 制造 方法 以及 光学 器件 | ||
1.一种Bi置换稀土类铁石榴石单晶,其特征在于,
具有以R3-xBixFe5-wAwO12表示的组成,其中,所述R是选自由Tb、Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr组成的组中的一种或两种以上的稀土类元素且一定包含所述Tb,所述A是选自由Ga、Al、In、Sc、Co、Ni、Cr、V、Ti、Si、Ge、Mg、Zn、Nb、Ta、Sn、Zr、Hf、Pt、Rh、Te、Os、Ce、Lu组成的组中的一种或两种以上的元素,所述x为0.7<x≤1.5,所述w为0<w≤1.5;
并且,所述Bi置换稀土类铁石榴石单晶不含有Pb而含有Pt,进而,含有Mn或第二族元素中的至少一种元素;
在以M表示所述Mn或第二族元素中的至少一种元素,并将所述Bi置换稀土类铁石榴石单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将[M]和[Pt]的关系式Δ表示为
[算式1]
Δ=[M]-(α×[Pt])
时,系数α被设定为0.91±0.05的数值范围内的任意值,且Δ值被设定为-7.23atppm以上1.64atppm以下。
2.如权利要求1所述的Bi置换稀土类铁石榴石单晶,其特征在于,所述Δ值被设定为0atppm。
3.一种Bi置换稀土类铁石榴石单晶的制造方法,其特征在于,
在Pt制的坩埚内至少放入Bi2O3、不含铅化合物的溶剂、Fe2O3和Tb4O7、以及所述Fe2O3和所述Tb4O7以外的其他溶质;
在所述溶剂中进而投入MO、MO2或M2O3中的任一种混合物,其中M是Mn或第二族元素中的至少一种元素;
在非磁性石榴石结晶衬底上培育所述Bi置换稀土类铁石榴石单晶,其中,所述Bi置换稀土类铁石榴石单晶是在将Bi置换稀土类铁石榴石单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将[M]和[Pt]的关系式Δ表示为
[算式2]
Δ=[M]-(α×[Pt])
时,系数α被设定为0.91±0.05的数值范围内的任意值,且Δ值被设定为-7.23atppm以上1.64atppm以下的Bi置换稀土类铁石榴石单晶。
4.如权利要求3所述的Bi置换稀土类铁石榴石单晶的制造方法,其特征在于,所述Δ值被设定为0atppm。
5.一种光隔离器、光循环器、光衰减器、法拉第镜、电流传感器、磁场传感器、磁光开关,其具备权利要求1或2所述的Bi置换稀土类铁石榴石单晶。
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