[发明专利]高电压无丝焊LED

权利要求书

1.一种单块式LED芯片，包括：

多个子LED，所述子LED无丝焊地互连，使得驱动所述子LED所需的电压取决于互连的所述子LED的数量和所述子LED的结电压；以及

其中所述单块式LED芯片能够电耦合以便无丝焊地工作。

2.根据权利要求1所述的单块式LED芯片，其中，所述子LED中的每个包括多个半导体层和夹置在所述多个半导体层之间的有源区域。

3.根据权利要求2所述的单块式LED芯片，进一步地，其中，所述多个半导体层包括至少n型半导体层和p型半导体层。

4.根据权利要求2所述的单块式LED芯片，进一步包括p电极和n电极，其中，所述p电极能够从与所述单块式LED芯片的主发光表面相对的表面上的点接近，并且所述n电极具有能够从与所述主发光表面相对的所述表面上的点接近的引线。

5.根据权利要求4所述的单块式LED芯片，其中，所述p电极和所述n电极与所述半导体层电耦合，使得施加至所述p电极和所述n电极的单个导致所述子LED发光。

6.根据权利要求3所述的单块式LED芯片，进一步包括用以将所述子LED互连的导电特征和电绝缘特征。

7.根据权利要求6所述的单块式LED芯片，其中，所述导电特征进一步包括位于至少所述多个半导体层的一部分上的用于互连的子LED的至少一个金属化层，并且所述电绝缘特征进一步包括位于至少所述金属化层的一部分与所述n型及p型半导体层之间的至少一个绝缘层。

8.根据权利要求7所述的单块式LED芯片，进一步包括穿过至少所述至少一个绝缘层的一部分设置的过孔，所述过孔将所述p电极和所述n电极与所述金属化层电连接。

9.根据权利要求6所述的单块式LED芯片，其中，所述导电特征在所述LED芯片的内部。

10.根据权利要求6所述的单块式LED芯片，其中，所述电绝缘特征将所述导电特征与所述LED芯片的其他部分绝缘，以防止所述导电特征短路。

11.根据权利要求3所述的单块式LED芯片，进一步包括n触点焊垫，所述n触点焊垫与所述n型半导体层接触并在所述n型半导体层与所述n电极之间提供电连接。

12.根据权利要求3所述的单块式LED芯片，进一步包括p触点焊垫，所述p触点焊垫与所述p型半导体层接触并在所述p型半导体层与所述p电极之间提供电连接。

13.根据权利要求12所述的单块式LED芯片，其中，所述p触点焊垫用作电流散布层。

14.根据权利要求12所述的单块式LED芯片，其中，所述p触点焊垫包括反射材料。

15.根据权利要求12所述的单块式LED芯片，进一步包括位于所述p触点焊垫的面向所述主发光表面的侧面上的反射材料。

16.根据权利要求15所述的单块式LED芯片，进一步包括包围除了面向所述主发光表面的侧面以外的所有侧面上的所述反射材料的阻挡材料。

17.根据权利要求15所述的单块式LED芯片，其中，所述反射材料是导电的。

18.根据权利要求16所述的单块式LED芯片，其中，所述反射材料和所述阻挡材料是导电的。

19.根据权利要求1所述的单块式LED芯片，其中，所述子LED中的每个均由单结LED形成。

20.根据权利要求19所述的单块式LED芯片，其中，所述子LED中的每个均通过去除单结LED的部分而由所述单结LED形成。

21.根据权利要求19所述的单块式LED芯片，其中，有源区域利用率大于50%。

22.根据权利要求19所述的单块式LED芯片，其中，有源区域利用率大于75%。

23.根据权利要求3所述的单块式LED芯片，进一步包括磷光体层，所述磷光体层设置为与所述n电极和所述p电极的所述引线相对，以使得所述磷光体层包括所述主发光表面。

24.根据权利要求3所述的单块式LED芯片，其中，所述主发光表面是基板。