[发明专利]包括嘧啶化合物的电子装置

说明书

相关专利申请资料

本专利申请根据35U.S.C.§119(e)要求2010年12月21日提交的美国临时申请61/425,556的优先权，所述文献全文以引用方式并入本文。

背景技术

技术领域

本公开一般涉及电活性嘧啶化合物。还涉及有机电子装置，其包括至少一个具有嘧啶化合物的层。

相关领域说明

在诸如构成OLED显示器的有机发光二极管（“OLED”）的有机光敏电子装置中，有机电活性层夹置在OLED示器的两个电接触层之间。在OLED中，在横跨所述电接触层施加电压时，有机光敏层穿过所述透光的电接触层发射光。

在发光二极管中使用有机电致发光化合物作为电活性组分是熟知的。简单有机分子、共轭聚合物、以及有机金属配合物已经被使用。

在很多情况下采用光敏材料的装置包括一个或多个电荷传输层，所述电荷传输层定位在光敏（例如发光）层与接触层（空穴注入接触层）之间。装置可包含两个或更多个接触层。空穴传输层可定位在光敏层与空穴注入接触层之间。空穴注入接触层还可被称为阳极。电子传输层可定位在光敏层与电子注入接触层之间。电子注入接触层还可被称为阴极。电荷传输材料还可与光敏材料组合用作基质。

持续需要用于电子装置的新型材料。

发明内容

本文还提供了具有式I或式II的嘧啶化合物：

其中：

R¹-R⁴相同或不同，并且为H、D、烷基、甲硅烷基、烷氧基、氰基或芳基，其中R¹-R⁴中的至少两个为芳基，并且所述芳基中的至少一个包括N,O,S-杂环，条件是当R¹-R⁴中的两个包括N-咔唑基时，R¹-R⁴中的两个不为芳基；

其中：

Q为单键或烃芳基；并且

R⁵和R⁶在每次出现时相同或不同，并且为H、D、烷基、甲硅烷基、烷氧基、氰基或芳基，其中R⁵中的至少一个和R⁶中的至少一个为芳基，并且至少一个芳基包括N,O,S-杂环。

本文还提供了组合物，其包含（a）基质，所述基质为具有式I或式II的嘧啶化合物，和（b）能够电致发光的掺杂剂，所述掺杂剂具有介于380和750nm之间的发射最大值。

本文还提供了电子装置，其包含至少一个包含式I或式II的化合物的层。

本文还提供了薄膜晶体管，其包括：

基板；

绝缘层；

栅电极；

源极；

漏极；和

有机半导体层，其包含具有式I或式II的嘧啶化合物；

其中所述绝缘层、栅电极、半导体层、源极和漏极可以任何序列被布置，前提条件是所述栅电极和所述半导体层均接触所述绝缘层，所述源极和所述漏极均接触所述半导体层，并且所述电极彼此不接触。

本文还提供了电子装置，其包括定位在两个电接触层之间的至少一个电活性层，其中所述装置的至少一个电活性层包含具有式I或式II的嘧啶化合物。

本文还提供了有机电子装置，其包括阳极、空穴注入层、光敏层、电子传输层、和阴极，其中光敏层和电子传输层中的至少一个包含具有式I或式II的化合物。

以上综述和以下具体实施方式仅出于示例性和说明性目的而不是对本发明进行限制，本发明受所附权利要求的限定。

附图说明

附图中示出了实施例，以增进对本文所述概念的理解。

图1A包括有机场效应晶体管（OTFT）的示意图，其示出了此类装置在底部接触模式下，电活性层的相对位置。

图1B包括OTFT的示意图，其示出了此类装置在顶部接触模式下，电活性层的相对位置。

图1C包括有机场效应晶体管（OTFT）的示意图，其示出了此类装置在底部接触模式下，闸极在顶部时，电活性层的相对位置。

图1D包括有机场效应晶体管（OTFT）的示意图，其示出了此类装置在底部接触模式下，闸极在顶部时，电活性层的相对位置。

图2包括有机电子装置的另一个实例的示意图。