[发明专利]治疗用处置装置及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201180060301.8 申请日: 2011-12-09
公开(公告)号: CN103260538A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 安永新二 申请(专利权)人: 奥林巴斯株式会社
主分类号: A61B18/12 分类号: A61B18/12;A61B18/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;房永峰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 治疗 用处 装置 及其 控制 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及治疗用处置装置及其控制方法。

背景技术

一般来说,公知有利用高频能或热能治疗生物体组织的治疗用处置装置。例如,在专利文献1中公开了如下所述的治疗用处置装置。即,该治疗用处置装置包含可以开闭的保持部,用于抓持作为处置对象的生物体组织。在该保持部与生物体组织相接触的部位配设有用于施加高频电压的高频电极,以及用于加热该高频电极的加热器部件。另外,保持部上装备着切割器。在这种治疗用处置装置的使用过程中,首先,利用保持部抓持生物体组织,施加高频电压。进而,利用保持部件对生物体组织进行加热,从而使生物体组织吻合。另外,也可以利用保持部上装备的切割器将生物体组织端部在接合状态下进行切除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-247893号公报

发明内容

所述专利文献1中公开的这种治疗用处置装置通常所采用的制造方法是,所述保持部上的所述电极这样的与生物体组织相接触的传热部与用于对该传热部进行加热的加热器部件各自独立形成,然后再接合在一起。这里,考虑布线的难易度,在加热器部件的基板上,用于形成作为热源的发热部件的面和与传热部相接合的面通常是不同的面。在这种情况下,由于基板位于传热部和发热部件之间,在传热部和发热部件之间会产生温度差。因此,为了准确地控制生物体组织的加热温度,必须考虑传热部和发热部件之间的温度差,对其加以控制。

因此,本发明的目的是提供一种能够考虑传热部和发热部件之间的温度差、高精度地实现与生物体组织的加热相关的温度控制的治疗用处置装置及其控制方法。

为了实现所述目的,本发明的一个实施方式提供的治疗用处置装置用于以目标温度对生物体组织进行加热来进行治疗,其特征在于,具备:传热部,构成为与所述生物体组织接触并向该生物体组织传递热;发热芯片,在该发热芯片的一个面上具有发热部位,在另一个面与所述传热部接合,通过向该发热部位接通能量来加热所述传热部;测温单元,用于取得所述发热部位的温度;以及控制单元,基于所述测温单元所取得的所述发热部位的温度,将该发热部位的温度控制在与所述目标温度不同的温度,而且与所述目标温度之间的偏差值对应于向该发热部位接通的能量量而变化,由此将所述传热部的温度控制在该目标温度。

为了实现所述目的,本发明的一个实施方式提供治疗用处置装置的控制方法,该治疗用处置装置具备构成为与生物体组织接触的传热部以及用于加热该传热部的发热用电阻图案,并利用该传热部以目标温度对该生物体组织进行加热来进行治疗,该控制方法的特征在于,包括以下步骤:取得所述发热用电阻图案的电阻值;基于所述发热用电阻图案的电阻值,计算出所述发热用电阻图案的温度;获取当前向所述发热用电阻图案接通的接通电力量;基于所述发热用电阻图案的所述温度和所述接通电力量,推断所述传热部的温度;以及基于推断出的所述传热部的温度与所述目标温度之差,决定接下来向所述发热用电阻图案接通的电力量。

根据本发明,将发热部件的温度设定为与传热部的目标温度不同的温度,其偏差值的量相应于向该发热部件接通的能量量而变化,由此就能够将传热部控制在所述目标温度,因此,能够提供一种可以高精度地实现与生物体组织的加热相关的温度控制的治疗用处置装置及其控制方法。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的治疗用处置系统的结构实例的概略图。

图2A是表示第1实施方式的能量处置工具的轴以及保持部的结构实例的概略剖面图;图中所示的保持部处于闭合状态。

图2B是表示第1实施方式中的能量处置工具的轴以及保持部的结构实例的概略剖面图;图中所示的保持部处于张开状态。

图3A是表示第1实施方式中的保持部的第1保持部件的结构实例的概略俯视图。

图3B是表示第1实施方式中的保持部的第1保持部件的结构实例的概略图;是沿着图3A所示的3B-3B线形成的纵剖面图。

图3C是表示第1实施方式中的保持部的第1保持部件的结构实例的概略图;是沿着图3A所示的3C-3C线形成的横剖面图。

图4A是表示第1实施方式中的加热器部件的结构实例的概略顶视图。

图4B是表示第1实施方式中的加热器部件的结构实例的概略图;是沿着图4A所示的4B-4B线形成的剖面图。

图5A是表示第1实施方式中的中继芯片的结构实例的概略顶视图。

图5B是表示第1实施方式中的中继芯片的结构实例的概略图;是沿着图5A所示的5B-5B线形成的剖面图。

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