[发明专利]用于控制光伏器件中光活性层的外延生长的材料有效

专利信息
申请号: 201180059951.0 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN104137287A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 斯蒂芬·R·弗里斯特;布莱恩·E·拉希特;李俊烨;陆庚修;田顺玉;陈炳斗 申请(专利权)人: 密歇根大学董事会;檀国大学校产学协力团
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 刘慧;杨青
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 器件 活性 外延 生长 材料
【权利要求书】:

1.器件,其包含:

第一电极;

第二电极;

至少一个优先空穴传导的有机晶种层;以及

至少一个电池,所述电池包含第一光敏层和第二光敏层,

其中所述器件的第一光敏层表现出基本上垂直于第一电极或第二电极中的至少一个的取向。

2.权利要求1的器件,其中所述优先空穴传导的有机晶种层被放置在第一电极和所述电池之间。

3.权利要求2的器件,其中所述优先空穴传导的有机晶种层被直接放置在第一电极上。

4.权利要求3的器件,其中第一光敏层被直接放置在所述优先空穴传导的有机晶种层上。

5.权利要求1的器件,其中第二光敏层被放置在第二电极和第一光敏层之间。

6.权利要求1的器件,其中所述电池还包含第三光敏层。

7.权利要求6的器件,其中第三光敏层被放置在第一光敏层和第二光敏层之间。

8.权利要求1的器件,其中所述优先空穴传导的有机晶种层包含选自以下的材料:1,4,5,6,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲腈(HAT-CN);1,4,5,6,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲酰胺;1,4,5,6,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲酸;1,4,5,6,9,11-六氮杂三亚苯基-六甲酸三酐;四氰基-醌二甲烷(TCNQ);2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-醌二甲烷(F4-TCNQ);N,N’-二氰基-2,3,5,6-四氟-1,4-醌二亚胺(F4DCNQI);N,N’-二氰基-2,5-二氯-3,6-二氟-1,4-醌二亚胺(C12F2DCNQI);N,N’-二氰基-2,3,5,6,7,8-六氟-1,4-萘并醌二亚胺(F6DCNNOI);1,4,5,8-四氢-1,4,5,8-四硫杂-2,3,6,7-四氰基蒽醌(CN4TTAQ);2,2,7,7,-四氟-2,7-二氢-1,3,6,8-四氧杂-2,7-二硼杂-4,9,10,11,12-五氯-苯并[e]芘;2-(6-二氰基亚甲基-1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亚基)丙二腈,及其组合。

9.权利要求1的器件,其中第一光敏层包含选自以下的材料:氯化亚酞菁(SubPc)、铜酞菁(CuPc)、C60和C70富勒烯、氯铝酞菁(ClAlPc)、斯夸苷(SQ)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)及其组合。

10.权利要求1的器件,其中第二光敏层包含选自以下的材料:C60和C70富勒烯、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、全氟化铜酞菁(F16-CuPc)及其组合。

11.权利要求6的器件,其中第三光敏层包含选自以下的材料:氯化亚酞菁(SubPc)、铜酞菁(CuPc)、C60和C70富勒烯、氯铝酞菁(ClAlPc)、斯夸苷(SQ)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、3,4,9,10-苝四甲酸二酐(PTCDA)、全氟化铜酞菁(F16-CuPc)及其组合。

12.权利要求1的器件,其中第一电极包含至少一种选自以下的金属氧化物材料:ZnO、GIO、IGZO、ITO、TiO2、MgO、GITO、WO、ZIO和ZITO。

13.权利要求12的器件,其中第一电极包含复合ITO/金属电极,其中所述金属选自Ca、LiF/Al和Mg:Ag。

14.权利要求1的器件,其中第二电极包含选自以下的材料:钢、Ni、Ag、Al、Mg、In及其混合物或合金。

15.权利要求1的器件,其还包含至少一个阻挡层。

16.权利要求15的器件,其中至少一个阻挡层被放置在所述电池和第二电极之间。

17.权利要求15的器件,其中至少一个电子阻挡层包含选自以下的材料:NPD、Alq3、CBP、BCP和Ru(acac)3

18.权利要求1的器件,其中所述器件包含太阳能电池或倒置太阳能电池。

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