[发明专利]用于制造发光转换材料层的方法、用于其的组合物以及包括这种发光转换材料层的器件

权利要求书

1.用于在具有工作时发射初级辐射的半导体元件（10）的衬底（1）上制造发光转换材料层（20）的方法，所述方法包括以下方法步骤：

（a）提供所述衬底（1）；

（b）提供包括发光转换材料（25）、基体材料和溶剂的组合物（21）；

（c）将所述组合物（21）施加到所述衬底（1）上；

（d）移除所述溶剂的至少一部分，使得在所述衬底（1）上构成所述发光转换材料层（20）。

2.根据上一项权利要求所述的方法，

其中在方法步骤（c）中将所述组合物（21）施加到所述衬底（1）的凹部（5）中。

3.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（c）中将所述组合物（21）直接地施加到所述半导体元件（10）上。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（c）中，所述组合物（21）在施加时具有<1Pa*s的粘性。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（d）中构成发光转换材料层（20），所述发光转换材料层具有≤60μm的、尤其≤50μm的层厚度。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（d）中构成发光转换材料层（20），所述发光转换材料层具有≥75重量%的、并且尤其≥85重量%的发光转换材料（25）的含量。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（d）中构成发光转换材料层（20），在所述发光转换材料层中，所述发光转换材料（25）在包括基体材料的基体中的浓度具有梯度。

8.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（b）中提供的所述组合物（21）包含2重量%至50重量%并且尤其5重量%至30重量%的发光转换材料（25）。

9.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（b）中提供的所述组合物（21）中，所述发光转换材料（25）的至少95重量%的颗粒具有≤20μm的并且尤其≤15μm的最大直径。

10.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（b）中提供的所述组合物（21）包含5重量%至25重量%的基体材料。

11.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（b）中提供的所述组合物（21）中，所述基体材料选自：硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、这些聚合物化合物的前驱体以及上述材料的组合。

12.根据上述权利要求之一所述的方法，

其中在方法步骤（b）中提供的所述组合物（21）中，所述溶剂选自：酯、乙醚、甲硅烷基醚、二硅氧烷、脂肪族、芳香族的碳氢化合物、卤化的碳氢化合物和上述溶剂的组合。

13.根据权利要求1至2和4至12之一所述的方法，

其中在方法步骤（a）中提供的所述衬底（1）上设置有浇注料（40）。

14.用于制造发光转换材料层（20）的组合物（21），包括：

-发光转换材料（25），

-基体材料以及

-溶剂。

15.包含工作时发射初级辐射的半导体元件（10）和设置在所发射的所述初级辐射的光路中的发光转换材料层（20）的器件，所述发光转换材料层能够根据权利要求1至13之一所述的方法制造。