[发明专利]弹性波装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201180059880.4 | 申请日: | 2011-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103262410A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 木户俊介;岩本英树;神藤始;渡边宗久 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H3/08;H03H9/25 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王亚爱 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 弹性 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种弹性波装置,具有压电膜,
所述弹性波装置具备:
高声速支撑基板,其传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的弹性波声速高;
低声速膜,其层叠于所述高声速支撑基板上,且传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的体波声速低;
所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上;以及
IDT电极,其形成于所述压电膜的一面。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速支撑基板中。
3.一种弹性波装置,具有压电膜,
所述弹性波装置具备:
支撑基板;
高声速膜,其形成于所述支撑基板上,且传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的弹性波声速高;
低声速膜,其层叠于所述高声速膜上,且传播的体波声速比在所述压电膜进行传播的体波声速低;
所述压电膜,其层叠于所述低声速膜上;以及
IDT电极,其形成于所述压电膜的一面。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
在所述压电膜进行传播的弹性波的能量的一部分分布在所述低声速膜以及所述高声速膜中。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述低声速膜由氧化硅、或者以氧化硅为主成分的膜构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的弹性波装置,其中,
在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为1.5λ以下。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的弹性波装置,其中,
在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述压电膜的膜厚被设为0.05λ~0.5λ的范围。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的弹性波装置,其中,
在将以IDT电极的电极周期所确定的弹性波的波长设为λ时,所述低声速膜的膜厚为2λ以下。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述压电膜由欧拉角(0±5°,θ,ψ)的单晶钽酸锂构成,欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于图17所示的多个区域R1当中的任一区域的范围内。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
所述压电膜的欧拉角(0±5°,θ,ψ)位于图18的多个区域R2当中的任一区域的范围内。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述支撑基板的线膨胀系数小于所述压电膜的线膨胀系数。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的弹性波装置,其中,
所述低声速膜的固有声阻抗小于所述压电膜的固有声阻抗。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性表面波在所述压电膜进行传播。
14.根据权利要求1~12中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述压电膜以及所述IDT电极之上形成有电介质膜,弹性边界波在所述压电膜与所述电介质膜的边界进行传播。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的弹性波装置,其中,
在所述压电膜以及所述低声速膜以及所述高声速膜以及所述支撑基板的至少1个边界,形成有粘合层、基底膜、低声速层以及高声速层当中的至少1层。
16.一种弹性波装置的制造方法,具备:
准备支撑基板的工序;
在所述支撑基板上形成传播的体波声速比在压电体传播的弹性波声速高的高声速膜的工序;
在所述高声速膜上形成传播的体波声速比在压电体传播的体波声速低的低声速膜的工序;
在所述低声速膜上形成压电体层的工序;以及
在所述压电体层的一面形成IDT电极的工序。
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