[发明专利]有源矩阵基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板以及使用它的显示装置，特别是涉及具备设置有辅助电容的TFT基板的显示装置。

背景技术

作为薄型电视机、个人计算机的显示装置、视频摄像装置的显示装置等，将薄膜晶体管（TFT：Thin Film Transistor）用于开关元件的有源矩阵型液晶显示装置被广泛使用。除了以往的TN型（Twisted Nematic；扭曲向列型）液晶显示装置之外，还在开发利用作为垂直取向模式的VA（Vertical Alignment）模式、作为横电场模式的IPS（In－Plane－Switching；面内开关）模式的液晶显示装置等。

作为VA模式的液晶显示装置，已知在1个像素中形成有液晶的取向方向互不相同的多个畴的MVA（Multidomain Vertical Alignment；多畴垂直取向）模式的液晶显示装置、以形成于像素的中心部的电极上的铆钉等为中心使液晶的取向方向连续地不同的CPA（Continuous Pinwheel Alignment；连续焰火状取向）模式的液晶显示装置等。

在对像素电极施加预定信号电压后到对该像素电极施加新的信号电压为止的期间，不对TFT的栅极施加将TFT变为导通状态的扫描信号，TFT变为截止状态。在TFT为截止状态的非选择期间，像素电极的电位保持大致恒定，维持与该电位相应的显示。

已知历来将用于保持像素电极的电位的辅助电容（存储电容）与液晶电容并列设置。在专利文献1中示出在漏极电极的延伸部和辅助电容电极（辅助电容总线）之间形成辅助电容的方式。漏极电极的延伸部在比辅助电容电极的边缘（外缘）靠内侧的区域以与辅助电容电极重叠的方式设置。另外，在该显示装置中，辅助电容电极以与像素电极的端部重叠的方式延伸，与像素电极之间也形成有辅助电容。

在专利文献2中公开了在下层的导电性配线的外缘内侧的区域隔着绝缘膜形成上层的导电部从而形成辅助电容的技术。形成在下层配线的边缘的内侧的理由是，若以与下层配线的边缘交叉的方式设置上层的导电部，则在该交叉部分发生电流的泄漏、导通的可能性提高。

在专利文献3中，作为不降低像素的开口率地设置辅助电容的技术，记载有在多个副像素电极的间隙部形成辅助电容配线和辅助电容电极。在该文献中也记载有将从漏极电极延伸的辅助电容电极设置于比设置在其下层的辅助电容配线的边缘靠内侧。

在专利文献4和专利文献5中也记载有TFT的漏极电极的延伸部分以与辅助电容总线（Cs总线）相对的方式设置的液晶显示装置。漏极电极的延伸部分作为Cs相对电极发挥功能，隔着绝缘膜与辅助电容配线之间形成辅助电容。

另外，在专利文献4和专利文献5所述的液晶显示装置中，从漏极电极延伸的部分越过下层的辅助电容配线而延伸。该延伸部分被用作控制电容电极，与悬浮状态的副像素电极进行电容耦合。隔着控制电容电极对悬浮状态的副像素电极施加与和漏极电极直接连接的其它副像素电极不同的电位。这样，作为像素分割方式的一种，已知对1个像素所包含的2个副像素电极各自施加不同的电压的方法。通过将取向状态不同的液晶区域形成在1个像素内，能够改善视野角特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第7,417,691号说明书

专利文献2：特开平4－342234号公报

专利文献3：特开2006－154080号公报

专利文献4：特开2006－330633号公报

专利文献5：特开2006－201355号公报

发明内容

发明要解决的问题

TFT基板是通过在基板上反复进行沉积导电膜或绝缘膜、对它们进行图案化的工序而制作的。例如，TFT基板是按如下方式制作的。首先，在玻璃等的基板上，以预定图案设置由金属膜形成的栅极电极、栅极总线以及辅助电容总线。之后，隔着栅极绝缘膜在预定位置形成半导体层。进而，形成包含源极电极的源极总线和在半导体膜上以与源极电极相对的方式配置的漏极电极。

这时，在辅助电容总线上的区域，隔着栅极绝缘膜形成作为漏极电极的延伸部的辅助电容相对电极（Cs相对电极）。之后，隔着层间绝缘膜等设置像素电极。像素电极与漏极电极或Cs相对电极例如通过设置于层间绝缘膜的接触孔电连接。