[发明专利]工艺和温度不敏感的反相器

权利要求书

1.一种装置，包括：

电流源；

第一晶体管，具有耦合至所述电流源的第一漏极引线；

第二晶体管，具有第二漏极引线，所述第二漏极引线耦合至所述第一晶体管的第一源极引线、所述第一晶体管的第一栅极引线、以及所述第二晶体管的第二栅极；以及

缓冲器，耦合至所述第一晶体管的所述第一漏极引线；

其中，所述电流源的输出电流以对应于第二速率的第一速率随着温度变化，所述第一晶体管和所述第二晶体管的跨导值对所述第二速率随着温度变化。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流源包括与绝对温度成比例(PTAT)器件。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述PTAT器件包括双极结型晶体管(BJT)。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述PTAT器件进一步包括耦合至所述BJT的漏极引线的电阻器。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述电阻器可以被调节至特定电阻。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述电阻器可以被数字地调节。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述PTAT器件进一步包括耦合至所述电阻器的电压调节器以及第三晶体管和第四晶体管。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述电流源的所述输出电流也随着施加至所述电流源的参考电压(V_REF)而变化并且所述特定电阻至少部分基于所述参考电压的值而确定。

9.根据权利要求8所述的装置，其中所述参考电压施加至所述电压调节器的输入。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一晶体管包括pMOS晶体管并且所述第二晶体管包括nMOS晶体管。

11.根据权利要求8所述的装置，其中所述电流源的输出电流以对应于所述第二速率的所述第一速率随着温度线性变化，所述第一晶体管和所述第二晶体管的跨导值对所述第二速率随着温度线性变化。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述缓冲器隔离来自另一电路的输出电流并且向另一电路提供输出电压。

13.一种用于操作电路以在减小的功耗下产生具有受限的噪声的数字输出的方法，包括：

设置参考电压至第一值，其中输出电流以第一速率随着温度变化而变化，第一晶体管和第二晶体管的跨导对所述第一速率随着所述温度变化而保持恒定。

14.根据权利要求13所述的方法，其中设置所述参考电压包括响应于所述电流源的模拟操作而选择所述值。

15.根据权利要求13所述的方法，其中设置所述参考电压包括响应于所述输出电流的实验得到的测量而选择所述值。

16.根据权利要求13所述的方法，进一步包括测量所述第一晶体管和所述第二晶体管的跨导值。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述值是第一值，进一步包括调节所述参考电压至第二值，在所述第二值下所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述跨导响应于所测量的跨导值而随着所述温度变化保持恒定。

18.根据权利要求13所述的方法，进一步包括采用所述输出电流偏置所述第一晶体管和所述第二晶体管。

19.根据权利要求13所述的方法，其中设置所述参考电压包括调节所述电流源中电阻器的电阻值。