[发明专利]非易失性存储器单元阵列

权利要求书

1.一种每单位单元包括五个存储器单元的非易失性存储器单元阵列。

2.根据权利要求1所述的阵列，其中每单位单元仅有五个存储器单元。

3.根据权利要求2所述的阵列，其中所述五个存储器单元占据4F²的水平面积。

4.根据权利要求1所述的阵列，其中每单位单元仅有六个存储器单元。

5.根据权利要求4所述的阵列，其中所述六个存储器单元占据4F²的水平面积。

6.根据权利要求1所述的阵列，其包括多个经垂直定向的存储器单元及多个经水平定向的存储器单元。

7.根据权利要求6所述的阵列，其包括比经水平定向的存储器单元多的经垂直定向的存储器单元。

8.根据权利要求6所述的阵列，其中每单位单元仅有五个存储器单元，且每四个经垂直定向的存储器单元有一个经水平定向的存储器单元。

9.根据权利要求6所述的阵列，其中每单位单元仅有六个存储器单元，且每四个经垂直定向的存储器单元有两个经水平定向的存储器单元。

10.根据权利要求1所述的阵列，其中所述单位单元为六面体，所述六面体具有在所述六面体的两个相对面之间延伸的四个拐角体积，且所述五个存储器单元包括可编程材料，所述存储器单元中的四个存储器单元的所述可编程材料从所述相对面中的一者或另一者延伸到所述六面体内部所述四个拐角体积中的单个拐角体积内。

11.根据权利要求10所述的阵列，其中除所述四个存储器单元以外的另一存储器单元的所述可编程材料接纳于所述六面体的与所述单个拐角体积对角相对的所述拐角体积中。

12.根据权利要求11所述的阵列，其中所述四个存储器单元各自为垂直定向的且所述另一存储器单元为水平定向的。

13.根据权利要求10所述的阵列，其中所述单位单元包括六个存储器单元，所述六个存储器单元包括可编程材料，除所述四个存储器单元以外的两个存储器单元的所述可编程材料被接纳于所述六面体的与所述单个拐角体积对角相对的所述拐角体积中。

14.根据权利要求13所述的阵列，其中所述四个存储器单元各自为垂直定向的且所述两个存储器单元为水平定向的。

15.一种包括五个存储器单元的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述五个存储器单元占据所述层中的个别层内的4F²的连续水平面积。

16.根据权利要求15所述的阵列，其包括占据所述层中的个别层内的所述4F²的连续水平面积的六个存储器单元。

17.一种包括多个单位单元的非易失性存储器单元阵列，所述多个单位单元个别地包括可编程材料的三个竖直区，所述三个竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料。

18.根据权利要求17所述的阵列，其中所述三个竖直区包括所述单位单元的至少四个不同存储器单元的所述可编程材料。

19.根据权利要求18所述的阵列，其中所述三个竖直区包括五个不同存储器单元的所述可编程材料。

20.根据权利要求18所述的阵列，其包括可编程材料的另一竖直区且其包括所述单位单元的另一存储器单元，所述单位单元包括六个不同存储器单元。

21.根据权利要求17所述的阵列，其中所述单位单元为六面体。

22.根据权利要求17所述的阵列，其中所述竖直区在所述单位单元中的个别单位单元内彼此横向平行延伸。

23.根据权利要求17所述的阵列，其中所述竖直区在所述单位单元中的个别单位单元内具有恒定相应竖直厚度。

24.根据权利要求23所述的阵列，其中所述竖直区在所述单位单元中的个别单位单元内具有至少两个不同竖直厚度。

25.根据权利要求24所述的阵列，其中所述竖直区在所述单位单元中的个别单位单元内具有仅两个不同竖直厚度。