[发明专利]具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路

权利要求书

1.一种器件，包括：

存储阵列，其包括：多个以行和列布置的静态随机存取存储器（SRAM）单元；多个真位线，每个真位线连接到所述存储阵列的一个列；以及多个补位线，每个补位线与所述多个真位线之一形成差分对并与其在同一列中；以及

写入辅助电路，其连接到所述存储阵列的所述多个SRAM单元的每一个中的每个差分位线对，所述写入辅助电路包括：

负升压节点；

放电器件，其耦合到地和所述负升压节点，所述放电器件被配置为接收第一控制信号；

升压电容器，其耦合到所述负升压节点，所述升压电容器被配置为接收第二控制信号；

多个位线控制器件，其被配置为控制写入数据线以便在写入周期内写入位线，所述多个位线控制器件中的每一个包括耦合到所述负升压节点的晶体管，其中所述多个位线控制器件的每个晶体管的栅极-源极端子连接到所述负升压节点；以及

位线控制选择器件，其耦合到所述多个位线控制器件和所述负升压节点，所述位线控制选择器件被配置为在所述写入周期内选择所述多个位线控制器件之一，其中未被选择的多个位线控制器件的每个所述晶体管的所述栅极-源极端子从所述负升压节点接收负电压，并将所述负电压馈送到所述栅极以便最小化泄漏。

2.根据权利要求1的电路，其中所述位线控制选择器件包括多个位控制选择器件，所述多个位控制选择器件中的每一个耦合到所述多个位线控制器件之一。

3.根据权利要求1的电路，其中根据所述第二控制信号，在所述写入周期的预充电阶段期间对所述升压电容器充电。

4.根据权利要求1的电路，其中在所述写入周期的活动阶段，所述放电器件将所选择的位控制器件的所述写入数据线拉至地。

5.根据权利要求4的电路，其中由所述升压电容器对所选择的位控制器件的所述写入数据线进行低于地升压。

6.根据权利要求5的电路，其中响应于关断所述放电器件，启动由所述升压电容器提供的所选择的位控制器件的所述写入数据线的所述低于地升压。

7.根据权利要求6的电路，其中所述第一控制信号对所述放电器件的控制与所述第二控制信号对所述升压电容器的控制是分离的和独立的。

8.根据权利要求1的电路，还包括泄漏抑制器件，其耦合到所述放电器件，其中所述泄漏抑制器件被配置为在所述升压电容器的低于地升压期间从所述负升压节点接收负电压，并将所述负电压馈送到所述放电器件的栅极以便最小化泄漏。

9.根据权利要求8的电路，还包括第一逻辑器件，其耦合到所述升压电容器，其中所述第一逻辑器件被配置为阻止所述升压电容器为未选择的写入驱动器充电。

10.根据权利要求9的电路，其中所述第一控制信号对所述放电器件的控制和所述第二控制信号对所述升压电容器的控制在逻辑上相连，以便单独控制所述放电器件的关断的计时，而不会使所述放电器件的关断为所述升压电容器充电。

11.根据权利要求1的电路，还包括计时器件，其耦合到所述放电器件和所述升压电容器，其中所述计时器件被配置为控制所述放电器件和所述升压电容器之间的计时关系，其中所述计时器件使能在启动所述升压电容器提供的低于地升压之前关断所述放电器件，并随着电源电压的增大而延缓所述放电器件的关断以便减小升压量。

12.根据权利要求11的电路，其中所述计时器件包括升压控制器件，其被配置为根据所述电源电压而控制所述升压电容器提供的升压量。

13.根据权利要求12的电路，其中所述升压控制器件包括与第一反相器和第二反相器串联耦合的升压互锁检测器。

14.根据权利要求13的电路，其中所述升压控制器件进一步包括位于所述第一反相器和所述第二反相器之间的第一逻辑门。

15.根据权利要求11的电路，其中所述计时器件包括放电器件控制器，其被配置为控制所述放电器件的操作。

16.根据权利要求15的电路，其中所述放电器件控制器包括串联耦合到切换级的偏压信号发生器，其中所述偏压信号发生器被配置为根据所述电源电压而提供偏压信号，其中所述切换级被配置为根据所述偏压信号控制所述放电器件的关断的计时，并且其中响应于所述电源电压的增大，所述切换级延缓所述第一控制信号的转变。