[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180057486.7 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103229304A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;高桥正弘;丸山哲纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一绝缘膜；
与所述第一绝缘膜重叠的第二绝缘膜；
夹在所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间的半导体膜的叠层，该半导体膜的叠层包括：
第一氧化物半导体膜；和
接触所述第一氧化物半导体膜并且夹在所述第一氧化物半导体膜与所述第二绝缘膜之间的第二氧化物半导体膜；以及
与所述半导体膜的叠层重叠的导电膜，它们之间夹有所述第二绝缘膜，
其中，所述第二氧化物半导体膜的氮浓度高于所述第一氧化物半导体膜的氮浓度。
2.一种半导体装置，包括：
第一绝缘膜；
与所述第一绝缘膜重叠的第二绝缘膜；
夹在所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间的半导体膜的叠层，该半导体膜的叠层包括：
具有第一晶体结构的第一氧化物半导体膜；和
具有第二晶体结构的第二氧化物半导体膜，其接触所述第一氧化物半导体膜并夹在所述第一氧化物半导体膜与所述第二绝缘膜之间；以及
与所述半导体膜的叠层重叠的导电膜，它们之间夹有所述第二绝缘膜，
其中，所述第一晶体结构为非纤锌矿结构或非纤锌矿结构的变形结构，
并且，所述第二晶体结构为纤锌矿结构。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第一晶体结构为YbFe2O4结构、Yb2Fe3O7结构、YbFe2O4结构的变形结构以及Yb2Fe3O7结构的变形结构之一。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第二氧化物半导体膜的氮浓度高于所述第一氧化物半导体膜的氮浓度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体膜的叠层还包括夹在所述第二氧化物半导体膜与所述第二绝缘膜之间的第三氧化物半导体膜，
其中，所述第二氧化物半导体膜的所述氮浓度高于所述第三氧化物半导体膜的氮浓度。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体膜的叠层还包括夹在所述第二氧化物半导体膜与所述第二绝缘膜之间的具有第三晶体结构的第三氧化物半导体膜，
其中，所述第三晶体结构为非纤锌矿结构或非纤锌矿结构的变形结构。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述第一晶体结构为YbFe2O4结构、Yb2Fe3O7结构、YbFe2O4结构的变形结构以及Yb2Fe3O7的变形结构之一。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体膜具有三方晶或六方晶结构膜。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体膜具有三方晶或六方晶结构膜。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜为非单晶体，并包括非晶区域和具有c轴取向的结晶区域。
11.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜为非单晶体，并包括非晶区域和具有c轴取向的结晶区域。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体膜包含锌、铟或镓。
13.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体膜包含锌、铟或镓。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第二氧化物半导体膜为氧化锌或氧氮化物半导体。
15.根据权利要求2所述的半导体装置，
其中，所述第二氧化物半导体膜为氧化锌或氧氮化物半导体。
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