[发明专利]评价用基板、缺陷检查方法以及缺陷检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于对在有机材料中所包含的异物缺陷进行评价的评价用基板、缺陷检查方法以及缺陷检查装置。

背景技术

在半导体器件的制造中，执行基于使用了光致抗蚀剂的光刻法的微细加工。近年来，半导体器件的高集成化不断发展，所使用的活性光线也有向KrF受激准分子激光（248nm）、ArF受激准分子激光（193nm）、F2受激准分子激光（157nm）这样短波长化的趋势。在使用这些光源的光刻工序中，会发生因来自基板的曝光光的反射所造成的驻波的影响、由基板的台阶差引起的曝光光的不规则反射的影响等而造成的光致抗蚀剂图案的尺寸精度降低的问题。因此，研究了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置反射防止膜（Bottom Anti-Refletive Coating：BARC，底部防反射涂层）的方法。

作为反射防止膜，已知例如有钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、α-硅等无机反射防止膜、以及由吸光性物质和高分子化合物构成的有机反射防止膜。无机反射防止膜的成膜需要真空蒸镀装置、CVD装置、溅射装置等设备；与此相对，有机反射防止膜在不需要特别的设备这一点上是有利的。因此，正在进行大量的有机反射防止膜的研究。例如，可以举出在同一分子内具有作为交联反应基的羟基和吸光基的丙烯酸树脂型反射防止膜、在同一分子内具有作为交联反应基的羟基和吸光基的酚醛树脂型反射防止膜等。

这些有机反射防止膜为了防止与涂敷在其上的光致抗蚀剂的相互混合而大多使用热交联性组合物来形成。其结果，反射防止膜不溶于光致抗蚀剂用显影液，在半导体基板加工之前的反射防止膜的去除需要通过干法蚀刻来进行。

另外，作为有机反射防止膜，例如在专利文献1中记载了耐干法蚀刻性优异、反射防止效果高、并且不会产生与抗蚀剂的相互混合的反射防止膜形成用组合物。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2005-241963号公报

发明内容

（发明所要解决的问题）

在半导体器件的制造中所用的有机反射防止膜其材料自身所含的异物的量、大小等会对半导体器件的制造造成影响。因而，希望掌握对在形成于实际的半导体器件上的有机反射防止膜的材料自身所含的异物进行了定量化的信息。通过确立对应用于半导体器件上时的反射防止膜的质量进行评价的技术，可保证半导体器件的制造质量。而现状是，还没有确立评价反射防止膜的质量的技术。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种用于对由在有机材料中所含的对半导体器件的制造有影响的异物所引起的缺陷进行评价的评价用基板及其缺陷检查方法、以及缺陷检查装置。

（解决问题的措施）

本发明人进行了专注的研究，结果，新开发了对有机材料中所含的异物进行光学检测的技术，实现了本发明。本发明包含以下方式。本发明的一个方式的评价用基板的特征在于，具备：基板；配置在上述基板上的第一膜；以及配置在上述第一膜上的第二膜，其中在所述第二膜上形成包含机材料的膜的第二膜，其中，对于在上述第二膜的蚀刻中使用的蚀刻剂，上述第一膜被设定为比上述第二膜的蚀刻速率低，并且所述第一膜的可光学检测的缺陷的检测下限值小于或等于上述第二膜的缺陷的检测下限值，以及上述第二膜的膜厚度被设定为光学测量的雾度（Haze）值取最小值或极小值附近的值。根据这种评价用基板，能够对在形成于实际的半导体器件上的有机材料膜、例如涂敷在被加工基板上的有机反射防止膜中所含的异物定量地进行评价。

本发明的一个实施方式的评价用基板的特征在于，具备：硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的多晶硅膜，其中，上述多晶硅膜的表面的雾度值小于或等于30ppm。根据这种评价用基板，能够提供一种用于对由在有机材料中所含的异物所引起的缺陷进行评价的评价用基板。

本发明的一个实施方式的评价用基板的特征在于，具备：硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的多晶硅膜，上述多晶硅的膜厚度被设定为光学测量的雾度值取最小值或极小值附近的值。根据这种评价用基板，能够提供一种用于对由在有机材料中所含的异物所引起的缺陷进行评价的评价用基板。

本发明的一个实施方式的评价用基板其特征在于，具备：硅基板；配置在上述硅基板上的氧化硅膜；以及配置在上述氧化硅膜上的非晶硅膜，上述非晶硅的膜厚度被设定为光学测量的雾度值取最小值或极小值附近的值。根据这种评价用基板，能够提供一种用于对由在有机材料中所含的异物所引起的缺陷进行评价的评价用基板。